合金CdS/ZnS量子點(diǎn)(CdS/ZnS QDs) 參考價(jià):面議
光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和具有吸引力的功能。例如,通過(guò)控制粒子的大小,CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而,二元素量子點(diǎn),如...合金CdSe/ZnS量子點(diǎn)(CdSe/ZnS QDs) 參考價(jià):面議
光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和具有吸引力的功能。例如,通過(guò)控制粒子的大小,CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。Black Phosphorus 黑磷晶體 (1g裝) 參考價(jià):面議
We offer most economic, massive size (1.0 gram), and highly crystalline scientif...改性后的石墨烯量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
制備方法: 酸性回流成份:改性石墨烯量子點(diǎn)外觀:棕黑色溶液熒光色:藍(lán)色熒光量子產(chǎn)率:10 #177; 2%粒徑:6 #177; 3 nm濃度:1mg/ml, 大...改性后的石墨烯量子點(diǎn)粉末 參考價(jià):面議
制備方法: 熱解法成份:改性后的石墨烯量子點(diǎn)外觀:粉狀熒光色:藍(lán)色熒光量子產(chǎn)率:10 #177; 2%粒徑:6 #177; 3 nm電位:~+20mV純度:gt...羥基化石墨烯量子點(diǎn) Hydroxylated GQDs 參考價(jià):面議
羥基化石墨烯量子點(diǎn) Hydroxylated GQDs制備方法:水熱法成分:羥基化石墨烯量子點(diǎn)外觀:無(wú)色溶液發(fā)光峰:375納米粒度:6納米濃度:1毫克/毫升(可...綠色熒光石墨烯量子點(diǎn) Green GQDs 參考價(jià):面議
綠色熒光石墨烯量子點(diǎn) Green GQDs制備方法:水熱法組成:綠色熒光石墨烯量子點(diǎn)外觀:無(wú)色溶液發(fā)光峰:530納米粒度:6納米濃度:1毫克/毫升(可高達(dá)20m...含氯功能化石墨烯量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
含氯功能化石墨烯量子點(diǎn) Chlorine Functionalized GQDs制備方法:水熱法組成:外觀:無(wú)色溶液發(fā)光峰:452納米粒度:6納米濃度:1毫克/...羧基化石墨烯量子點(diǎn)粉末 參考價(jià):面議
羧基化石墨烯量子點(diǎn)粉末 Carboxylated GQDs - Carboxylated GQDs Powder制備方法:前驅(qū)體熱解法成分:羧化的石墨烯量子點(diǎn)外...羧基化石墨烯量子點(diǎn) Carboxylated GQDs 參考價(jià):面議
羧基化石墨烯量子點(diǎn) Carboxylated GQDs制備方法:前驅(qū)體熱解法羧基化的石墨烯量子點(diǎn)外觀:無(wú)色溶液發(fā)光峰:487納米粒度:10納米濃度:1毫克/毫升...藍(lán)色熒光石墨烯量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
藍(lán)色熒光石墨烯量子點(diǎn) Blue Luminescent GQDs制備方法:自下而上法石墨烯量子點(diǎn)的元素組成氫(wt%):4碳(wt%):46氧(wt%):50量...胺化石墨烯量子點(diǎn) Aminated GQDs 參考價(jià):面議
胺化石墨烯量子點(diǎn) Aminated GQDs制備方法:水熱法成分::石墨烯量子點(diǎn)外觀:無(wú)色溶液發(fā)光峰:440納米粒子尺寸:5納米濃度:1毫克/毫升(可高達(dá)20m...量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
量子點(diǎn)(quantum dot)是零維(zero-dimensional)的納米半導(dǎo)體材料。三個(gè)維度的尺寸都不大于其對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍,的性能...QD-LEDs應(yīng)用量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液濃度:~20mg/ml,溶劑:正辛烷(可定制不同溶劑、濃度)直接用于旋涂工藝無(wú)重金屬ZnSeZnS量子點(diǎn)(HMF_ZnSeZnS QDs) 參考價(jià):面議
ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)?!熬G色"半導(dǎo)體納米材料,有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn),作為寬帶隙半導(dǎo)體材料,ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)...無(wú)重金屬InP/ZnS量子點(diǎn)(HMF_InP/ZnS QDs) 參考價(jià):面議
由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大,量子限域效應(yīng)明顯,消光系數(shù)大,發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光范圍,并延伸至近紅外區(qū)域,尤其是不含有重金屬元素,InP量子點(diǎn)在平板顯...近紅外PbS Ag2S量子點(diǎn) 參考價(jià):面議
近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn),在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長(zhǎng)具有很強(qiáng)的組織穿...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)