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1978年，Weiss等首-次從人中性粒細(xì)胞中分離出并獲得純化的天然殺菌/滲透增強(qiáng)蛋白分子（naturalbactericidal/permeability-increasingprotein，nBPI）。nBPI的相對(duì)分子質(zhì)量為55000，位于中性粒細(xì)胞溶酶體內(nèi)，屬于嗜天

地下水位監(jiān)測(cè)預(yù)警系統(tǒng)-一款維護(hù)成本低的雷達(dá)水位監(jiān)測(cè)站2023順豐包郵【TH-SW1】近年來(lái)，我國(guó)地表水水臟、水少的問(wèn)題十分突出，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生活飲用水等方面受到了嚴(yán)重的影響，充分利用地下水，合理有序的開(kāi)發(fā)顯

RTO（蓄熱式焚燒爐）焚燒技術(shù)是治理VOCs的主要技術(shù)，其中RTO治理技術(shù)因治理效果好、運(yùn)行穩(wěn)定、成本較低，被廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)的有機(jī)廢氣治理中。但與此同時(shí)，RTO的應(yīng)用也出現(xiàn)了一些安全問(wèn)題，尤其是RTO爆炸影響尤為

大多數(shù)學(xué)者認(rèn)為，內(nèi)化反應(yīng)和激活效應(yīng)是分離的。最近Beutler等證實(shí)，具有特異性的抗TLR4多克隆抗體具有擬內(nèi)毒素的活性，從而認(rèn)為L(zhǎng)PS并非必須經(jīng)過(guò)內(nèi)化才可誘發(fā)信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)效應(yīng)。Kitchens等證實(shí)，mCD14介導(dǎo)的LPS內(nèi)化的動(dòng)力

KRI離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備UHVSputter上海伯東代理美國(guó)KRI離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備UHVSputter實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于10-8至10-12托,且在化學(xué),物理和工程領(lǐng)域十分常見(jiàn)

考夫曼離子源創(chuàng)始人Dr.HaroldR.KaufmanKaufman博士1926年在美國(guó)出生,1951年加入美國(guó)NASA路易斯研究中心,60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器).1969年美國(guó)航空航天學(xué)會(huì)AIAA授予他Ja

KRI離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備Co-sputter上海伯東代理美國(guó)KRI考夫曼離子源應(yīng)用于磁控共濺鍍?cè)O(shè)備Co-sputter實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的復(fù)合式薄膜!磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料,通過(guò)分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率

KRI離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍?cè)O(shè)備E-beamEvaporationSystem特殊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)電子束沉積是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng),上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一大坩堝也可以有多個(gè)坩堝來(lái)達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu),在基板乘

上海伯東代理美國(guó)KRI射頻離子源應(yīng)用于多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備Multilayersputter,通過(guò)使用KRI射頻離子源可實(shí)現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度,并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.膜基附著

Hampton等用巨噬細(xì)胞系RAW264.7細(xì)胞株研究LPS的內(nèi)化過(guò)程。他們先將LPS加入培養(yǎng)基，使培養(yǎng)基內(nèi)毒素濃度在納摩爾每升水平，然后加入RAW264.7細(xì)胞使其吸收4'-單磷酸脂質(zhì)AⅣA。在細(xì)胞攝取脂質(zhì)AⅣA的同時(shí)伴隨著溶酶體發(fā)生

石油化工、制藥、汽車制造、油氣罐區(qū)等行業(yè)在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs），這些氣體直接排放到大氣中會(huì)造成嚴(yán)重的環(huán)境污染，同時(shí)也會(huì)受到環(huán)保部門的嚴(yán)重處罰。目前，RTO（蓄熱式焚燒爐）焚燒技術(shù)是

KRI離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備MetalThermalEvaporationSystem熱蒸發(fā)是物理氣相沉積PVD中常用方法.使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜,其中以電阻式加熱法為常見(jiàn).這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一

KRi射頻離子源應(yīng)用于車載攝像頭鏡片鍍膜工藝,實(shí)現(xiàn)車載鏡頭減反,塑膠鏡片增透車載鏡頭的鍍膜非常重要,鍍膜的核心用途就是增加透光率.xian進(jìn)的鍍膜技術(shù)可以大限度地減少反光,通過(guò)減少光在折射界面的反射而增加光線的透

KRi大尺寸射頻離子源樹(shù)脂鏡片高性能AR工藝樹(shù)脂為手機(jī)行業(yè)目前常用的鏡片基材,為了減少鏡片反射,提升透過(guò)率,會(huì)在鏡片表面鍍AR增透膜(減反膜),它是一種硬質(zhì)耐熱氧化膜,可在特定波長(zhǎng)范圍內(nèi)將元器件表面的反射率最小化.A

KRi射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片IRCF工藝上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商,生產(chǎn)過(guò)程中需在白玻璃上進(jìn)行鍍膜.由于國(guó)產(chǎn)鍍膜設(shè)備在射頻和光控性能方面的限制,鍍制過(guò)程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象,材料折射率不高,品質(zhì)無(wú)法