PVA&Tepla VPD 系統(tǒng)及模組(原名Munich Metrology) Munich Metrology GmbH, 是 PVA TePla的全資子公司, 擁有VPD,氣相分解設(shè)備超過二十年的VPD經(jīng)驗(yàn),無論在設(shè)備和應(yīng)用方面都是前沿供應(yīng)商。在2012年Munich Metrology 被PVA-TEPLA收購,Munich Metrology 產(chǎn)品目前是由PVA-TEPLA制造,擴(kuò)大其半導(dǎo)體集團(tuán)的計(jì)量功能。
產(chǎn)品
WSMS - 晶圓表面測量系統(tǒng) Munich Metrology提供了的,整合的VPD測量系統(tǒng)。該WSMS包括前緣的VPD,氣相分解,,精密的化學(xué)品輸送系統(tǒng),自動(dòng)提供所需的所有集成的ICP-MS分析的校準(zhǔn)的化學(xué)品VPD和所有的化學(xué)物質(zhì)樣品采集系統(tǒng)系統(tǒng)。它是一臺(tái)用計(jì)算機(jī)控制的系統(tǒng),接受遠(yuǎn)程命令,并通過SECS / GEM工廠自動(dòng)化接口提供的測量結(jié)果實(shí)時(shí)在一個(gè)完整的測量系統(tǒng)。該WSMS的優(yōu)點(diǎn)包括:
• 全自動(dòng)
• 的檢出限制
• 更快地取得測量結(jié)果
• 實(shí)時(shí)操作過程
• 通過精密,無錯(cuò),加藥,稀釋,混合和傳遞到兩個(gè)VPD和ICP-MS的操作精確測量
• 無需人工較準(zhǔn), 降低成本
Utilities Dimension
Power : 220/110 V, 2.2 kW
DI water : 1.5 bar (20 psi), 2 l/h
Nitrogen : 1.5 bar (20 psi), 0.7 m³/h
Exhaust : 50 m³/h
Drain Depth : 1507 mm
Width : 2065 mm
Height : 2140 mm
Table Top : 945 mm
Weight : 1100 kg
WSPS - 晶圓表面制備系統(tǒng)(VPD Preparation) WSPS系統(tǒng)包括處理模塊,機(jī)器人控制,錄像帶站cassette stations 和固定負(fù)載接口站系統(tǒng)中的FOUPS,提供過濾后的潔凈空氣,工具和電源各個(gè)獨(dú)立模塊。WSPS軟件提供了完整的系統(tǒng)運(yùn)行能力和數(shù)據(jù)收集,包括定制配方設(shè)置,作業(yè)定義,作業(yè)執(zhí)行,晶圓優(yōu)先級(jí)和遠(yuǎn)程監(jiān)控和操作管理。
• 掃描整個(gè)晶圓表面無殘留
• 系統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)
• 自動(dòng)處理功能
• 適用于硅片及其它材料表面
WSPS, Wafer Surface Preparation System and VPD Modules PAD-Fume, Oxide Etch Module PAD-Fume
可編程自動(dòng)分解煙化機(jī) PAD-Fume是Munich Metrology 晶圓表面清洗裝置的模 塊之一 , 用于分析硅片表面和其氧化物的超微量金屬污染。它也可與自動(dòng)液滴掃描器 PAD-Scan以及PAD-Dry (只適用于全反射X射線熒光-TXRF分析)組合使用。
PAD-Scan, Sample Collection Module PAD-Scan
可編程自動(dòng)液滴掃描器 PAD-Scan 提供了一個(gè)高度敏感硅晶片VPD分析的新質(zhì)量。它的全自動(dòng)化操作,除去了人工操作所造成的所有微粒污染,降低空白試驗(yàn)值, 從而大幅度提升并達(dá)到的偵測度。
由于其掃描程序的精確控制,PAD-Scan把VPD打造成為一個(gè)能提供優(yōu)良重復(fù)性的可靠制備方法, 是個(gè)適合用于前端工藝, 針對(duì)晶圓表面質(zhì)量管理的理想方案。
由于精密的部分掃描模式,任何晶片的范圍皆可選擇用于收集VPD殘液。機(jī)器手的晶圓處理能力可用于所有晶圓, 直徑達(dá)300毫米。
PAD-Dry
可編程自動(dòng)液滴烘干機(jī) T只適用于全反射X射線熒光-TXRF分析。 采用真空及適度的熱量, 平均及快速地把晶圓烘干。
全自動(dòng)化系統(tǒng)操作 作為以生產(chǎn)導(dǎo)向工具的WSPS系統(tǒng)提供了自動(dòng)晶圓處理,包括SMIF和FOUP loadports的所有選項(xiàng)。所有以軟件標(biāo)準(zhǔn),如SECS / GEM與工廠控制系統(tǒng)結(jié)合。
VPD 原理
以校準(zhǔn)了的化學(xué)溶液或超純水(50?350微升)先以移液管滴到晶片上。之后由高純度管作為引導(dǎo),在晶片表面形成可編輯的格局。在掃描完成后,管子將在一個(gè)短氮?dú)饷}沖下脫離液滴。
液滴可在晶片的預(yù)定位置上蒸發(fā)(用于TXRF分析),或利用移液管轉(zhuǎn)移到小瓶(用于ICP-MS分析)。掃描前后可以使用清洗液清洗,再用超純水沖洗掃描官子和移液管。