測量原理

激光干涉法適用范圍

可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8（INCH）直徑的圓型晶片

測量精度及量程

1、關于厚度

厚度量程：100---2000um，測量精度與 WAFER 表面光潔度有關，即： 測量重復精度（砷化鎵等二代半導體類雙拋表面 WAFER）：±0.3um ; 測量重復精度（碳化硅等三代半導體類研磨表面 WAFER）: ±0.5um ; 測量重復精度（藍寶石類單拋表面 WAFER）：±0.5um ;

2、關于平面度/表面形態(tài)參數(shù)測量精度