項(xiàng)目

T-81SE+

光纖要求

材料

玻璃纖維

光纖芯數(shù)/種類

單芯/ SMF(G.652), MMF(G.651), DSF(G.653), NZDSF(G.655), BIF(G.657)

光纖外徑

包層直徑:80um - 150um，涂覆層直徑:100um - 1,000um

切斷長度

5 - 16mm (使用涂覆壓夾)

標(biāo)準(zhǔn)性能

標(biāo)準(zhǔn)熔接損耗 ※1

SMF:0.015dB, MMF:0.01dB, DSF:0.04dB, NZDSF:0.04dB,BIF:0.015dB

標(biāo)準(zhǔn)反射衰減

大于60dB

熔接時(shí)間

6秒(SM G652 Quick模式)，8秒 (Auto模式)

加熱時(shí)間

12秒(使用FPS-61-2.6熱縮套管，Slim 60mm Quick模式下)

電池使用次數(shù)(含熔接和加熱補(bǔ)強(qiáng))※2

約310次(BU-16)

光纖觀察/放大倍數(shù)

2個(gè)CMOS照相機(jī)觀察   380倍(變焦:760倍)「X或Y單軸」

熔接點(diǎn)張力試驗(yàn)

1.96 - 2.09N

熱縮保護(hù)套管規(guī)格

60mm, 40mm 以及住友Nano熱縮套管

程序

熔接程序

300 其中初始預(yù)置40組 用戶設(shè)置260組

加熱程序

100 其中初始預(yù)置23組 用戶設(shè)置77組

功能

熔接圖像／熔接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

200張圖像 / 10,000個(gè)熔接數(shù)據(jù)（機(jī)身存儲(chǔ)）

50200張圖片/20,000個(gè)熔接數(shù)據(jù)（16GB SD存儲(chǔ)卡）

光衰減熔接

0.1dB至15dB (0.1dB單位)

多規(guī)格對(duì)應(yīng)光纖壓夾

可提供，250um、900um 以及松套／緊套光纖

可反轉(zhuǎn)型光纖涂覆壓夾

可提供

內(nèi)藏用戶訓(xùn)練指導(dǎo)視頻

可提供

自動(dòng)光纖識(shí)別

SMF/MMF/DSF/NZDSF/BIF/Other

自動(dòng)放電校準(zhǔn)

根據(jù)環(huán)境變化自動(dòng)校正

尺寸／重量

尺寸

128(W) x 154(D) x 130(H)mm (不含防震橡膠)

重量

1.7公斤 (不含電池)，2.1公斤 (含電池BU-16)

顯示器尺寸

5.0英寸觸摸屏彩色LCD屏幕

終端

直流輸出

DC12V (光纖剝線鉗JR-6+使用)

USB接口

USB2.0 (mini-B型)

存儲(chǔ)卡

SD/SDHC存儲(chǔ)卡(32GB)

電源

AC交流輸入

AC100-240V, 50/60Hz (ADC-16)

DC直流輸入

DC10-15V

電池規(guī)格

鋰電池10.8V;6,400毫安 (BU-16)

工作條件

海拔高度:0 - 6,000米，工作溫度:-10 - +50℃，工作濕度:0 - 95% (不結(jié)露)，應(yīng)對(duì)風(fēng)速15m/s

存儲(chǔ)條件

保管溫度:-40- +80℃，保管濕度:0-95%(不結(jié)露)，電池:-20- +30℃ (長期保管)

電極壽命 ※3

大于6,000次放電

軟件升級(jí)

網(wǎng)絡(luò)升級(jí)

數(shù)據(jù)管理

通過專用電腦軟件，可儲(chǔ)存、編輯、分析數(shù)據(jù)

※1 : 住友同種光纖(室溫)，通過光纖切斷法測(cè)試，符合ITU-T和IEC規(guī)格。

※2 : 熔接和加熱補(bǔ)強(qiáng)次數(shù)會(huì)受到電池使用環(huán)境的影響。

※3 : 電極實(shí)際壽命會(huì)受到工作環(huán)境的影響。

耐環(huán)境性能*

詳細(xì)試驗(yàn)

沖擊試驗(yàn)

從76cm高處落下，5面對(duì)應(yīng) (上面蓋子部分除去)

防水試驗(yàn)

IPx2等級(jí) (3mm/min的水滴，15度傾斜4面x2.5分鐘以上試驗(yàn)后，確認(rèn)機(jī)器正常動(dòng)作)

防塵試驗(yàn)

IP5x等級(jí) (放入裝有顆粒直徑75μm的粉塵中，8小時(shí)放置后，機(jī)器正常動(dòng)作 )

*本確認(rèn)是住友通過電池驅(qū)動(dòng)進(jìn)行的試驗(yàn)。