儀器簡(jiǎn)介：

   本實(shí)驗(yàn)裝置以808nm半導(dǎo)體泵浦Nd:Yv04激光器為研究對(duì)象，通過搭建整個(gè)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，完成各部分實(shí)驗(yàn)，從而學(xué)習(xí)半導(dǎo)體泵浦激光器的調(diào)試方法，觀察倍頻現(xiàn)象，測(cè)量閾值，相位匹配等實(shí)驗(yàn)的測(cè)試方法，加深對(duì)激光原理及光學(xué)倍頻技術(shù)等基本理論的理解，實(shí)現(xiàn)理論與實(shí)踐相結(jié)合；與同類產(chǎn)品相比，本實(shí)驗(yàn)儀器具有功能多，可以開設(shè)實(shí)驗(yàn)多，機(jī)械機(jī)構(gòu)穩(wěn)定且便于調(diào)試，實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作性強(qiáng)等特點(diǎn)。

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：

1、了解和掌握半導(dǎo)體泵浦激光器原理和調(diào)節(jié)光路的方法

2、掌握腔內(nèi)倍頻技術(shù)、并了解倍頻技術(shù)的意義

3、掌握測(cè)量閾值、相位匹配等基本參數(shù)的方法

4、掌握激光發(fā)散角、光斑尺寸的測(cè)量

主要配置和參數(shù)：

1、高強(qiáng)度硬質(zhì)耐磨鋁合金導(dǎo)軌，表面抗氧化噴砂工藝處理，尺寸：1000*214；

2、808半導(dǎo)體激光器（帶控制電源）；連續(xù)輸出功率：500mw；

3、氦氖激光器（帶控制電源），功率≥1.5mw，波長632.8nm；

4、紅外顯示卡：可觀察0.7--1.6nm的近紅外光；

5、KTP晶體：透過波段0.35--4.4μm，電光系數(shù)：γ33=36Pm/V；

6、Nd:YV0₄晶體：參Nd³⁺濃度0.1-3.0atm%,平面度<λ/10@632.8nm，鍍膜：AR@1064nm,R<0.1%,HT@808nm,T>90%；

7、光學(xué)元件：輸出鏡（R=50mm),濾光片；

8、光功率測(cè)試儀：2μW、20μW、200μW、2mW、20mW、200mW六檔功率范圍3位半數(shù)字顯示器；

9、其他：光源架，思維調(diào)節(jié)架，二維調(diào)節(jié)架，光靶