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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 日立集團(tuán)
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更新時(shí)間 2023/2/16 8:03:34
訪問(wèn)次數(shù) 155

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

CG6300提供更高的解析度、測(cè)量再現(xiàn)性以及高畫(huà)質(zhì)高解析度FEB測(cè)量裝置（CD-SEM）CG6300通過(guò)電子光學(xué)系統(tǒng)的全新設(shè)計(jì)提高了解析度，并進(jìn)一步提高了測(cè)量可重復(fù)性和圖像畫(huà)質(zhì)。電子顯微鏡線圈能夠選擇從對(duì)象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實(shí)現(xiàn)BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測(cè)量。此外，電子束的掃描速度是前機(jī)型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過(guò)高對(duì)比度檢測(cè)Edge。還有新設(shè)計(jì)的芯片載臺(tái)與前型號(hào)相比每小時(shí)處理晶圓數(shù)量提高20％以上從而提高生產(chǎn)力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應(yīng)對(duì)裝置的大規(guī)模生產(chǎn)，裝置間的機(jī)差抑制到了最小，從而實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。*1BEOL工藝（Back End Of Line）：半導(dǎo)體前端工藝中的配線形成工藝。*2Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設(shè)置孔的構(gòu)造，洞深比高于從前。*3Cost of Ownership：設(shè)備?機(jī)器等安裝和運(yùn)行管理所需的總費(fèi)用。

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高解析度FEB測(cè)量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

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高解析度FEB測(cè)量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

CG6300提供更高的解析度、測(cè)量再現(xiàn)性以及高畫(huà)質(zhì)

高解析度FEB測(cè)量裝置（CD-SEM）CG6300通過(guò)電子光學(xué)系統(tǒng)的全新設(shè)計(jì)提高了解析度，并進(jìn)一步提高了測(cè)量可重復(fù)性和圖像畫(huà)質(zhì)。
電子顯微鏡線圈能夠選擇從對(duì)象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實(shí)現(xiàn)BEOL制程^*1的Via-in-trench^*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測(cè)量。
此外，電子束的掃描速度是前機(jī)型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過(guò)高對(duì)比度檢測(cè)Edge。
還有新設(shè)計(jì)的芯片載臺(tái)與前型號(hào)相比每小時(shí)處理晶圓數(shù)量提高20％以上從而提高生產(chǎn)力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應(yīng)對(duì)裝置的大規(guī)模生產(chǎn)，裝置間的機(jī)差抑制到了最小，從而實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

*1: BEOL工藝（Back End Of Line）：半導(dǎo)體前端工藝中的配線形成工藝。
*2: Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設(shè)置孔的構(gòu)造，洞深比高于從前。
*3: Cost of Ownership：設(shè)備?機(jī)器等安裝和運(yùn)行管理所需的總費(fèi)用。

特長(zhǎng)
規(guī)格

特長(zhǎng)

高解析度能夠高精度測(cè)量7 nm generation devices
提高深槽·孔的尺寸測(cè)量和材料對(duì)比度的可視性
通過(guò)選擇性能強(qiáng)化二次電子和被背向散射電子信號(hào)來(lái)提高對(duì)比度成像
包括高速掃描在內(nèi)的多種掃描方式取得減少帶電的清晰圖像
搭載新設(shè)計(jì)的高速芯片載臺(tái)搬送系統(tǒng)

規(guī)格

規(guī)格
晶圓尺寸	Φ300 mm （SEMI 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格 V notched wafer）
自動(dòng)裝片	3 FOUP^*4 -compatible random access
電源	單相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz）