Hprobe應(yīng)用方向

■ 磁性隧道結(jié)

■ 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

■ 集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)

■ 智能傳感器

Hprobe探針臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 可以用于100~300mm晶圓

■ 提供大的面內(nèi)和垂直磁場(chǎng)

■ 磁場(chǎng)定向和旋轉(zhuǎn)的三維控制

■ 快速掃描能力

■ 嵌入式傳感器校準(zhǔn)

■ 自動(dòng)測(cè)試程序

■ MRAM和傳感器參數(shù)提取軟件

■ 與標(biāo)準(zhǔn)探針卡兼容

■ 快速掃場(chǎng)能力

Hprobe探針臺(tái)技術(shù)原理

探針臺(tái)采用*的三維磁場(chǎng)發(fā)生器，每個(gè)磁場(chǎng)空間軸獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。利用這3個(gè)自由度，用戶可以在任意空間方向應(yīng)用和控制場(chǎng)，也可以生成旋轉(zhuǎn)場(chǎng)。三維磁場(chǎng)裝置配備了所有相關(guān)配件，測(cè)試程序和磁鐵校準(zhǔn)工具包。

三維磁發(fā)生器置于探針臺(tái)頂部，并在晶圓上產(chǎn)生局部磁場(chǎng)。為了適應(yīng)器件測(cè)試設(shè)計(jì)，探頭被放置在晶圓片和發(fā)生器之間的間隙中。磁場(chǎng)發(fā)生器和晶圓托之間的Z方向距離一般可在500μm至5mm之間可調(diào)，取決于所使用的探針卡和探針。

Hprobe探針臺(tái)基本參數(shù)

Hprobe探針臺(tái)儀器配置

Hprobe探針臺(tái)配備整套儀器驅(qū)動(dòng)和測(cè)量大多數(shù)磁性器件，如MRAM (STT、SOT、電壓控制)、傳感器(AMR、GMR、TMR)和磁性MEMS。儀器可以包括源表和測(cè)量單元（SMU）、數(shù)字萬用表（DMM）、任意波形發(fā)生器（AWG）、脈沖發(fā)生器（PG）、交換矩陣、數(shù)據(jù)采集板等。其他儀器可根據(jù)要求提供，并且可以很容易地集成到工具的硬件和軟件中。

探針卡

Hprobe探針臺(tái)使用非常靈活，用戶可以使用標(biāo)準(zhǔn)的商用探針卡，也可以使用帶有DC和RF探頭的微操作器。

測(cè)試程序

該測(cè)試程序包含了所有滿足用戶需求的功能，從器件表征到產(chǎn)品開發(fā)，以及轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)等。它以三種模式運(yùn)行：

☆ 標(biāo)定模式–設(shè)置磁場(chǎng)配置并創(chuàng)建用戶定義的圖形

☆ 工程模式 –運(yùn)行預(yù)執(zhí)行的測(cè)試圖形或創(chuàng)建并運(yùn)行完整的自定義特性和測(cè)試

☆ 產(chǎn)品模式 –從工程模式中設(shè)置具有優(yōu)化測(cè)試時(shí)間的測(cè)試程序

預(yù)先實(shí)現(xiàn)的測(cè)試模式包括(有或沒有磁場(chǎng))：