可測(cè)量源 | 連續(xù)或脈沖>5kHz ，5% 占空比。更高的占空比，效果更好 |
| 被測(cè)光束功率 | 見下面注釋中的圖表.
如. 6 ?W to 3 W, 當(dāng)滿足1 mm 直徑 (1/e2) 高斯光束，633 nm, 5 ?m 狹縫時(shí). |
| 光學(xué)動(dòng)態(tài)范圍 | 55 dB (= 300,000:1) [75 dB 用中性密度2.0薄膜] |
| 大掃描區(qū)域形狀
針孔 (PA 系列)
單個(gè)狹縫 (SS 系列)
X-Y 狹縫 (XY 系列)
二維平臺(tái) (M2B) | 重要:為了精確測(cè)量，光束大小應(yīng)該< 0.5 x 掃描范圍.
帶有擴(kuò)展探頭,下面的23mm尺寸可變?yōu)?/em>35mm。
形狀：交叉掃描，掃描長(zhǎng)度 x 掃描長(zhǎng)度
行掃描，針孔直徑 x 23 mm
矩形掃描 7* x 23 mm, (* 5 for 鍺, 3 for InAs
梯形掃描 5* x 15/5 mm, (* 3 for 鍺, 2 for InAs, 3.5 x 13.5/6.5 for XYPl5)
矩形 45 x 23 mm 掃描區(qū)域成像，在該區(qū)域掃描像素. |
| 被測(cè)量的光束直徑/寬度 | 0.5 ?m to ~25 mm (默認(rèn)高斯光束時(shí)，直徑 1/e2 , 峰值的 13.5%) |
| 測(cè)量分辨率 | 0.5 ?m, 或被測(cè)光束直徑的0.5%, 以較高者為準(zhǔn) |
| 測(cè)量精度 | ?1?m 或被測(cè)光束直徑的?2% |
| 被測(cè)光束剖面 | X & Y
線性和對(duì)數(shù)剖面顯示模式 |
| 被測(cè)剖面參數(shù) | 高斯光束直徑
高斯擬合
二階矩光束直徑
刀鋒光束直徑
面心位置, 相對(duì)值和值
橢圓率 + 主軸方向
光束漂移顯示 |
| 顯示的剖面
(注解 1) | 僅X , 僅Y, X & Y
二維圖 (10,16 or 256 色彩)
三維圖 (10,16 or 256 色彩) |
| 更新頻率 | 1~ 2 Hz. 依賴于 PC 處理速度, 掃描剖面和設(shè)定的選項(xiàng) |
| 數(shù)據(jù)分析
Pass/Fail
平均
標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 屏幕上所有被測(cè)參數(shù)可選Pass/Fail 色彩
光束直徑在平均屏幕上進(jìn)行實(shí)時(shí)平均和累加平均 |
| 功率測(cè)量 | 單位mW, dBm, dB, % 或用戶輸入(相對(duì)于一個(gè)用戶提供的參考測(cè)量值.) |
| 源到狹縫距離 | 小1.0 mm |
| 孔徑尺寸(注解 2 )
狹縫
針孔 | 重要: 見掃描區(qū)域 (上面 ) ，對(duì)于可測(cè)光束直徑
2.5, 5, 10, 25 和 100 m 寬7 mm長(zhǎng)
(5 m 狹縫的平面類型是5 mm長(zhǎng))
5, 10, 25 and 50 m 直徑(更大或更小針孔需特別訂貨) |
| 波長(zhǎng)范圍
硅探測(cè)器
鍺探測(cè)器
InAs
新熱釋電材料 | 190~ 1150 nm
800 ~ 1800 nm
1500 ~ 4 μm
190 nm ~ 20 μm |
| 固定 | ¼-20 & M6 螺紋安裝孔 |
| 溫度范圍(包括附件)
運(yùn)行
儲(chǔ)藏 | 10o to 35o C
5o to 45o C |
| 低PC要求
PC or In-Mac | USB2.0接口, Windows XP or Vista; 1024 MB RAM; 10 MB 硬盤驅(qū)動(dòng)空間;
1024x768顯示器. |
