高精度光譜橢偏儀 ELLIP-SR-Ⅰ型主要適用于科研院所的信息光電子功能薄膜、體材料的光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)特性研究,可被研究材料種類包括:金屬和合金、元素和化合物半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體、磁性和磁光材料、有機(jī)材料、太陽能薄膜、多層薄膜材料、液體材料等。在測(cè)量中,可按研究條件同時(shí)對(duì)入射角和波長(zhǎng)進(jìn)行自動(dòng)精細(xì)掃描,從而增加研究的靈活性,便于用戶獲得更多的光譜信息進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,提高研究的質(zhì)量和可靠性,并實(shí)現(xiàn)無接觸無損傷測(cè)量。該系列光譜儀的性能指標(biāo)達(dá)均已達(dá)到同類技術(shù)的*水平,產(chǎn)品國(guó)內(nèi)及海外市場(chǎng)。
高精度光譜橢偏儀 ELLIP-SR-Ⅰ型技術(shù)參數(shù):
波長(zhǎng)范圍:250-830nm, 250-1100nm, 250-1700nm , 250-2100nm 。
光源:氙燈
波長(zhǎng)分辨率:1.0nm
入射角范圍: 20-90度(每5度間隔)
樣品臺(tái):Ø110 mm (可配三維樣品臺(tái))
入射角精度:0.001度
測(cè)量模式:反射式光譜值
測(cè)量方式:自動(dòng)完成AC信號(hào)測(cè)量
實(shí)測(cè)光學(xué)常數(shù)種類:復(fù)折射率( n, k );
反射率R
膜厚精度:±0.1nm
光學(xué)常數(shù)精度優(yōu)于0.5%
橢偏參數(shù)精度:D±0.02度;Y±0.01度
選配:*微光斑技術(shù)(國(guó)內(nèi)*),高精度XY平臺(tái),特制CCD成像系統(tǒng)。
主要特點(diǎn)
WINXP友好操作界面
實(shí)測(cè)光學(xué)常數(shù)種類:復(fù)折射率、復(fù)介電函數(shù)、吸收系數(shù)、反射率。
主要用途
1.各種功能材料的光學(xué)常數(shù)測(cè)量和光譜學(xué)特性分析;
2.測(cè)量薄膜材料的折射率和厚度; 測(cè)量對(duì)象包括:金屬、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、
絕緣體、非晶體、超晶格、磁性材料、光電材料、非線性材料;測(cè)量光學(xué)常數(shù):復(fù)折射率的實(shí)虛部、復(fù)介電常數(shù)的實(shí)虛部、吸收系數(shù)a、反射率R。
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