DSi300硅光電探測(cè)器電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

DSi200/DSi300硅光電探測(cè)器———室溫型探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：200-1100nm

兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：

 DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器

 DSi300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器

 推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用

兩種型號(hào)硅光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)度曲線圖：

DSi300硅光電探測(cè)器使用建議：

 DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

 DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；

 DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。

DSi300硅光電探測(cè)器型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：