超高純二硫化鉿粉末 參考價:面議
超高fS2粉末 超高純二硫化鉿粉末(1g)純度:99.99995%重量:1g超高純PbSnS2粉末 參考價:面議
超高純PbSnS2粉末(1g) 純度:99.99995%重量:1g高純碲化鎵粉末 參考價:面議
高純GaTe粉末 高純碲化鎵粉末(1g)純度:99.9995%重量:1gchao高純SbTe3粉末 參考價:面議
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超高純GaTe粉末 超高純碲化鎵粉末(1g)純度:99.99995%重量:1g高純?nèi)寤t粉末 參考價:面議
高純CrBr3粉末 高純?nèi)寤t粉末(1g) 純度:99.9995%重量:1g超高純?nèi)寤t粉末 參考價:面議
超高純CrBr3粉末 超高純?nèi)寤t粉末(1g) 純度:99.99995%重量:1g高純硒化鉍粉末 參考價:面議
高純Bi2Se3粉末 高純硒化鉍粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g超高純硒化鉍粉末 參考價:面議
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超高純Bi2S3粉末 超高純硫化鉍粉末(1g)純度:99.99995%重量:1g高純硫硒化鉬粉末 參考價:面議
高純MoSSe粉末高純硫硒化鉬粉末(1g)純度:99.9995%重量:1g石墨烯粉末 參考價:面議
比表面積 ~600m2/g松裝密度 ~0.0045g/cm3)單位:克高純二硫化鉬粉末 參考價:面議
高純MoS2粉末 高純二硫化鉬粉末 (1g)純度:99.9995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途:用于生長制備二維晶體材料超高純二硫化鉬粉末 參考價:面議
超高純MoS2粉末 超高純二硫化鉬粉末 (1g)純度:99.99995%重量:1g制備方法:使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途:用于生長制備二維晶體材料銅基石墨烯薄膜(5*5cm) 參考價:面議
形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):單層晶粒:單晶/多晶,50~300um定制單層二硫化鉬-帶電極 參考價:面議
1.將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底(襯底可根據(jù)客戶需求選定)2.邊長gt;15um (三角形)片內(nèi)層數(shù)均勻3.襯底上轉(zhuǎn)移3個(數(shù)量可定制)帶電極的單層硫化鉬樣品4.電極...銅基石墨烯薄膜(10*10cm) 參考價:面議
形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):單層晶粒:單晶/多晶,50~300um紫銅基石墨烯薄膜(1*1cm) 參考價:面議
形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm襯底:紫銅層數(shù):單層晶粒:單晶/多晶,50~300um量大價格面議PET基底石墨烯薄膜(1*1cm) 參考價:面議
形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):單層晶粒:單晶/多晶,50~300um基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鉬 參考價:面議
Full Area Coverage Monolayer MoS2 on c-cut Sapphire基于二氧化硅襯底的全區(qū)域覆蓋單層二硫化鉬 參考價:面議
This product contains full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si substrates.基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錸 參考價:面議
This product contains full area coverage ReS2 monolayers on c-cut sapphire subst...基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化錸 參考價:面議
This product contains full area coverage ReSe2 monolayers on c-cut sapphire subs...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)