銦鎵砷探測(cè)器 參考價(jià):面議
常溫型銦鎵砷探測(cè)器 DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件; DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件; DInGaAs260...TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器 參考價(jià):面議
TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設(shè)計(jì), 其中x-1700, 2600,均采用進(jìn)口二級(jí)制冷銦鎵砷探測(cè)元件。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)