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高溫氫致(HTHA)缺陷超聲檢測(cè)解決方案

來(lái)源:奧林巴斯(中國(guó))有限公司   2020年10月12日 13:26  
  高溫氫致(HTHA)缺陷在高溫高壓氫氣環(huán)境中出現(xiàn),如:熱交換器、管道和壓力容器中。這種缺陷主要發(fā)生在焊縫的熱影響區(qū)(HAZ)。自由氫會(huì)滲入到鋼合金的晶粒之間,并與碳元素結(jié)合,終產(chǎn)生脫碳甲烷孔隙。
 
  如果沒(méi)有足夠早地發(fā)現(xiàn)高溫氫致(HTHA)缺陷,孔隙的數(shù)量就會(huì)增加,且合并在一起,并終形成裂紋。為了避免設(shè)備發(fā)生潛在的故障,在這些裂紋形成之前,探測(cè)到高溫氫致缺陷至關(guān)重要。
 
  高溫氫致(HTHA)孔隙在早期階段非常細(xì)小,以至于無(wú)法被標(biāo)準(zhǔn)的超聲探頭探測(cè)到。超聲檢測(cè)人員需要使用更高的頻率、更強(qiáng)的聚焦、更高的增益,以及優(yōu)質(zhì)信噪比(SNR),才能探測(cè)到這類缺陷。
 
  奧林巴斯研制了一種于探測(cè)早期階段高溫氫致(HTHA)損傷的探頭。用于檢測(cè)高溫氫致缺陷的解決方案包括雙晶線性陣列(DLA)探頭和相控陣(PA)探頭,DLA探頭使用一發(fā)一收技術(shù)進(jìn)行檢測(cè),而PA探頭經(jīng)過(guò)微調(diào)可以進(jìn)行全聚焦方式(TFM)檢測(cè)。這些檢測(cè)方法與TOFD篩查結(jié)合起來(lái),形成了一套完整的多技術(shù)檢測(cè)策略。
 
  使用雙晶陣列探頭探測(cè)和定義更小的高溫氫致(HTHA)孔隙
 
  奧林巴斯的雙晶線性陣列(DLA)探頭具有高頻性能,可以提供更高的分辨率,從而有助于提高微小缺陷的檢出率,如:高溫氫致(HTHA)缺陷。雙晶線性陣列(DLA)探頭使用一發(fā)一收技術(shù)。這種探頭的兩個(gè)晶片陣列分開(kāi)放置,并具有聲學(xué)隔離特性,一個(gè)晶片陣列用于發(fā)射聲束,另一個(gè)用于接收信號(hào)。這種配置可以使用更高的增益,而且不會(huì)出現(xiàn)脈沖回波技術(shù)通常會(huì)遇到的干擾回波。雙晶陣列中裝配有大量的小晶片,有助于確保在關(guān)注區(qū)域內(nèi)獲得優(yōu)異的聚焦性能和很高的靈敏度。
 
  用于角度聲束檢測(cè)的A28 DLA探頭
 
  A28探頭的多個(gè)小晶片(各含32個(gè)晶片的兩個(gè)陣列)有助于提高聲束的偏轉(zhuǎn)能力,從而可使聲束覆蓋到焊縫體積的更大區(qū)域和熱影響區(qū)(HAZ)。探頭上有一個(gè)樞軸鉸鏈裝置,可使發(fā)射晶片和接收晶片盡可能互相靠近,以擴(kuò)大聲束以電子方式聚焦的范圍。樞軸裝置還可使兩個(gè)晶片陣列更緊密地貼附在楔塊的屋頂角上。
 
  可以進(jìn)行快速零度檢測(cè)的REX1 DLA探頭
 
  這些含有64個(gè)晶片的雙晶探頭在與一個(gè)編碼器或掃查器配套使用時(shí),可以0角度覆蓋30毫米寬的區(qū)域,完成快速掃查,并獲得清晰的C掃描圖像。雙晶相控陣技術(shù)可以在不同的深度上聚焦,獲得更高的檢測(cè)和定義能力。用戶可以直接在OmniScan X3探傷儀上選擇用于聚焦聲束的晶片數(shù)量,進(jìn)一步提高關(guān)注區(qū)域中的信號(hào)響應(yīng)能力。探頭的創(chuàng)新型防磨穩(wěn)定裝置可以緊密地貼合在外徑小至101.6毫米的管道表面上。
 
  提供全聚焦方式(TFM)的OmniScan X3相控陣探傷儀
 
  雖然與傳統(tǒng)的相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)(PAUT)相比,全聚焦方式(TFM)成像功能可以提供更大的聚焦區(qū)域,但是TFM的聚焦性能仍然會(huì)受到探頭晶片數(shù)量、頻率、帶寬和有效孔徑大小的影響。使用數(shù)量更多、體積更小的晶片,可以更進(jìn)一步提高聚焦效果,從而可優(yōu)化來(lái)自高溫氫致(HTHA)缺陷的響應(yīng)。此外,為了提高探測(cè)較小缺陷的能力,我們需要更短的波長(zhǎng),因此要使用更高的頻率。
 
  由于盡早探測(cè)到高溫氫致(HTHA)缺陷至關(guān)重要,因此通常會(huì)使用多種方法進(jìn)行檢測(cè),以增加探測(cè)到高溫氫致缺陷的幾率。實(shí)踐證明衍射時(shí)差(TOFD)、全矩陣捕獲(FMC)和雙晶線性陣列(DLA)采集方法可以特別有效地完成這項(xiàng)檢測(cè)應(yīng)用。OmniScan X3探傷儀不僅*支持這些方法,而且其創(chuàng)新型全聚焦方式(TFM)成像功能及一些軟件工具還可以簡(jiǎn)化設(shè)置和分析過(guò)程。
 
  OmniScan X3探傷儀集成有DLA探頭配置,可提供實(shí)時(shí)TFM包絡(luò)、高分辨率TFM圖像(1024 × 1024點(diǎn))和64晶片全聚焦方式(TFM)擴(kuò)展孔徑,是一款可與這些優(yōu)化的探頭組合在一起,創(chuàng)建一套完整的高溫氫致(HTHA)缺陷檢測(cè)解決方案的理想儀器。
 
  盡早探測(cè)到高溫氫致(HTHA)損傷有助于避免石油、天然氣和石化設(shè)施的關(guān)鍵性高壓資產(chǎn)出現(xiàn)災(zāi)難性的故障。對(duì)資產(chǎn)狀況進(jìn)行評(píng)估至關(guān)重要,不過(guò)要探測(cè)并評(píng)估高溫氫致(HTHA)缺陷,包括以超聲(UT)方式進(jìn)行的檢測(cè),非常具有挑戰(zhàn)性。奧林巴斯推出的高溫氫致(HTHA)缺陷檢測(cè)解決方案,可以有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

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