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　　【儀器網 使用手冊】二次離子質譜是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發(fā)生濺射產生二次粒子，通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。它利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加速并聚焦成細小的高能離子束轟擊樣品表面，使之激發(fā)和濺射二次離子，經過加速和質譜分析，分析區(qū)域可降低到1-2μm直徑和5nm的深度，正是適合表面成分分析的功能，它是表面分析的典型手段之一。
 

　　應用離子照射樣品產生二次離子的基礎研究工作初是R.H.斯隆(1938)和R.F.K.赫佐格(1949)等人進行的。1962 年R.卡斯塔因和G.斯洛贊在質譜法和離子顯微技術基礎上研制成了直接成像式離子質量分析器。1967 年H.利布爾在電子探針概念的基礎上，用離子束代替電子束，以質譜儀代替X 射線分光計研制成掃描式離子探針質量顯微分析儀。
 

　　二次離子質譜(SIMS)比其他表面微區(qū)分析方法更靈敏。由于應用了中性原子、液態(tài)金屬離子、多原子離子和激光一次束，后電離技術，離子反射型飛行時間質量分析器，離子延遲探測技術和計算機圖像處理技術等，使得新型的IWHI的一次束能量提高到MeV，束斑至亞μm，質量分辨率達到15000，橫向和縱向分辨率小于0.5μm和5nm，探測限為ng/g，能給出二維和三維圖像信息。SIMS已發(fā)展為一種重要的材料成分分析方法，在微電子、光電子、材料科學、催化、薄膜和生物領域有廣泛應用。
 

　　離子探針的原理是利用能量為1～20KeV的離子束照射在固體表面上，激發(fā)出正、負離子(濺射)，利用質譜儀對這些離子進行分析，測量離子的質荷比和強度，從而確定固體表面所含元素的種類和數量。
 

　　被加速的一次離子束照射到固體表面上，打出二次離子和中性粒子等，這個現象稱作濺射。濺射過程可以看成是單個入射離子和組成固體的原子之間獨立的、一連串的碰撞所產生的。左圖說明入射的一次離子與固體表面的碰撞情況。
 

　　入射離子一部分與表面發(fā)生彈性或非彈性碰撞后改變運動方向，飛向真空，這叫作一次離子散射；另外有一部分離子在單次碰撞中將其能量直接交給表面原子，并將表面原子逐出表面，使之以很高能量發(fā)射出去，這叫作反彈濺射；然而在表面上大量發(fā)生的是一次離子進入固體表面，并通過一系列的級聯碰撞而將其能量消耗在晶格上，后注入到一定深度(通常為幾個原子層)。固體原子受到碰撞，一旦獲得足夠的能量就會離開晶格點陣，并再次與其它原子碰撞，使離開晶格的原子增加，其中一部分影響到表面，當這些受到影響的表面或近表面的原子具有逸出固體表面所需的能量和方向時，它們就按一定的能量分布和角度分布發(fā)射出去。通常只有2-3個原子層中的原子可以逃逸出來，因此二次離子的發(fā)射深度在1nm左右?？梢姡瑏碜园l(fā)射區(qū)的發(fā)射粒子無疑代表著固體近表面區(qū)的信息，這正是SISM能進行表面分析的基礎。
 

　　一次離子照射到固體表面引起濺射的產物種類很多，其中二次離子只占總濺射產物的很小一部分(約占0.01-1%)。影響濺射產額的因素很多，一般來說，入射離子原子序數愈大，即入射離子愈重，濺射產額愈高；入射離子能量愈大，濺射產額也增高，但當入射離子能量很高時，它射入晶格的深度加大將造成深層原子不能逸出表面，濺射產額反而下降。
 

　　SIMS的基本原理：(1)利用聚焦的一次離子束在樣品上穩(wěn)定的進行轟擊，一次離子可能穿透固體樣品表面的一些原子層深入到一定深度，在穿透過程中發(fā)生一系列彈性和非彈性碰撞。一次離子將其部分能量傳遞給晶格原子，這些原子中有一部分向表面運動，并把能量的一部分傳遞給表面粒子使之發(fā)射，這種過程稱為粒子濺射。在一次離子束轟擊樣品時，還有可能發(fā)生另外一些物理和化學過程：一次離子進入晶格，引起晶格畸變；在具有吸附層覆蓋的表面上引起化學反應等等。濺射粒子大部分為中性原子和分子，小部分為帶正、負電荷的原子、分子和分子碎片；(2)電離的二次粒子(濺射的原子、分子和原子團等)按質荷比實現質譜分離；(3)收集經過質譜分離的二次離子，可以得知樣品表面和本體的元素組成和分布。在分析過程中，質量分析器不但可以提供對應于每一時刻的新鮮表面的多元素分析數據，而且還可以提供表面某一元素分布的二次離子圖像。