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簡(jiǎn)單了解功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試模塊包含哪些？

測(cè)試模塊

1、鐵電參數(shù)測(cè)試功能

l Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率；

l Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回錢(qián)測(cè)試；

l PUND 脈沖測(cè)試；

l Fatigue 疲勞測(cè)試；

l Retention 保持力;

l Imprint 印跡；

l Leakage current 漏電流測(cè)試;

l Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。

2、絕緣電阻測(cè)試功能

高精準(zhǔn)度的電壓輸出與電流測(cè)量，保障測(cè)試的品質(zhì)，適用于功能材料在高溫環(huán)境材料的數(shù)據(jù) 的檢測(cè)。例如： 陶瓷材料、硅橡膠測(cè)試、PCB、云 母、四氟材料電阻測(cè)試、也可做為科研院所新材料的高溫絕緣電阻的性能測(cè)試。

3、壓電參數(shù)測(cè)試功能

可進(jìn)行壓電陶瓷的唯靜態(tài)d33等參數(shù)測(cè)試，也可通過(guò)高壓放均由位移傳感器（如勘怪 干涉儀）動(dòng)態(tài)法測(cè)量壓電系數(shù)測(cè)量。

4、高溫四探針測(cè)試功能

符合功能材料導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料與其他新材料在高溫環(huán)境下測(cè)試多樣化的需求。雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)．也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。

5、熱釋電測(cè)試功能

主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。薄膜材料變溫范圍： － 196℃~＋ 600℃；塊體材料變溫范圍：室溫~200℃、室溫 ~600℃、室溫~800°C。

6、介電溫譜測(cè)試功能

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境條件下功能材料 的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、 介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量，同時(shí)還可以分 析被測(cè)樣晶隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲 線。也可進(jìn)行壓電陶瓷的居里溫度測(cè)試。

7、塞貝克系數(shù)／電阻測(cè)量系統(tǒng)

適用于半導(dǎo)體，陶瓷材料，金屬材料等多種 材料的多種熱電性能分析；可根據(jù)用戶需求配 置薄膜測(cè)量選件，低溫選件溫度范圍-100℃ ~200℃，高阻選件高至10MΩ。

8、電卡效應(yīng)測(cè)試功能

可以用于測(cè)試材料，在寬溫度范圍內(nèi)的電卡 性能。 溫度范圍：-50℃~200℃； 熱流時(shí)間范圍：1s-1000s； 最大電壓可達(dá)10kV； 波形：用戶自定、脈沖、三角波、正弦波、任意波 形、預(yù)定義波形。

9、熱激發(fā)極化電流測(cè)試儀TSDC

用于研究功能材料性能的一些關(guān)鍵因素， 諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過(guò) TSDC技術(shù)也可以比較直觀的研究材料的弛豫 時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。

華測(cè)功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)功能材料高低溫環(huán)境下的鐵電、壓電、熱釋電、 介電、 絕緣電阻等 電學(xué)測(cè)試。與國(guó)ji電學(xué)檢測(cè)儀器在通訊協(xié)議、數(shù)據(jù)庫(kù)處理、軟件兼容性做了大量的適應(yīng)性接口。無(wú)論在軟件與硬件方面，使本套儀器在未來(lái)較易于擴(kuò)展。節(jié)省改造時(shí)間與硬件成本。

可擴(kuò)展的測(cè)試裝置