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上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源簡介

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年07月05日 14:19

KRI 離子源
考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進器并以他的名字命名(考夫曼推進器). 1969年美國航空航天學(xué)會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進獎, 1970年考夫曼推進器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機構(gòu)提供*的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 考夫曼離子源
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規(guī)格, 累積銷售 3500+ 臺!
KRI 考夫曼離子源
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規(guī)格:

型號	eH 400	eH 1000	eH1000 xO2	eH 2000	eH 3000
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
陽極電壓	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可選	可選	可選	是	可選

KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進行預(yù)清洗和輔助鍍膜
霍爾離子源輔助鍍膜

離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進行預(yù)清洗和濺射鍍膜
射頻離子源,濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
上海伯東美國 KRI 離子源
測試結(jié)果
上海伯東RFICP325脫模測試

--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊

美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是認的, KRI 團隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術(shù)論文,為推進寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識體系做出貢獻!

上海伯東是美國考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司離子源已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.

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上海伯東：羅先生

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