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KRI 離子源應(yīng)用于電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System
特殊的系統(tǒng)設(shè)計電子束沉積是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一大坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu), 在基板乘載上對應(yīng)半導體研究和大型設(shè)備設(shè)計單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計. 為了獲得大的制程靈活性, 可以結(jié)合考夫曼離子源進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
----------- 電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System ----------
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRI 離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
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第62屆中國高等教育博覽會
展會城市：重慶市展會時間：2024-11-15