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KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍設(shè)備

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年07月04日 15:26

KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍設(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中常用方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法為常見. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時, 材料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3％. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
KRI 離子源應(yīng)用于金屬熱蒸鍍設(shè)備

----------- 金屬熱蒸鍍設(shè)備 Metal Thermal Evaporation System ----------

KRI 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

KRI 考夫曼離子源 KDC 技術(shù)參數(shù):

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

若您需要進(jìn)一步的了解離子源詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅先生

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