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結(jié)果分析
(a) 石墨氈的SEM圖像;(b) 不同掃描速率下的CV曲線;(c) 恒電勢(shì)(-0.8 V vs. AgCl)和脈沖電位(ta = tc =1 s,Ec = -0.8 V vs. Ag/AgCl,Er = 0 V vs. AgCl)下的ORR電流密度;(d)、(e)不同電位對(duì)H2O2產(chǎn)生和電流效率的影響(脈沖電勢(shì)ta = tc = 1s);(f) 脈沖電位電催化和恒電位電催化(ta = tc = 1 s, Ec = -1.0 V vs. AgCl)下H2O2的生成速率。
圖3 脈沖寬度對(duì)ORR反應(yīng)的影響
(a)(b)不同tc對(duì)H2O2產(chǎn)量的影響(tr=tc, Ec= -0.8 V vs. Ag/AgCl);(c) 不同tc下的ORR反應(yīng)電流密度;(d) 脈沖電位(tr=tc=100ms, Ec= -0.8 V vs. Ag/AgCl)下ORR反應(yīng)的法拉第電流密度和非法拉第電流密度;(e) tc對(duì)非法拉第電流密度的影響;f) 非法拉第電流密度與H2O2產(chǎn)量的相關(guān)性。
圖4 脈沖占空比對(duì)ORR的影響
(a-c) 不同脈沖占空比(D)對(duì)H2O2產(chǎn)率的影響(tr + tc = 2s, Ec = -0.8 V vs. Ag/AgCl);(d)不同脈沖占空比下ORR電流密度(d);(e)脈沖占空比對(duì)非法拉第電流密度的影響;(f)非法拉第電流密度與H2O2產(chǎn)生的相關(guān)性。
圖5 脈沖電位電催化促進(jìn)機(jī)理
(a)脈沖電催化中的tcathode and trest;(b)、(c) 恒電位電催化和脈沖電位電催化之間的反應(yīng)路徑存在差異;(d) EDL電場(chǎng)強(qiáng)度變化對(duì)ORR中間體吸附能的影響;(e) 具有固有缺陷的石墨烯的中間體(*H/*O2/*OOH)吸附模型。
結(jié)論
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