移動(dòng)端
直播推薦
回放
回放
企業(yè)動(dòng)態(tài)
- 北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司配合某檢測(cè)機(jī)構(gòu)搭建的絕緣材料實(shí)驗(yàn)室
- 生態(tài)環(huán)境局項(xiàng)目案例：便攜式多參數(shù)水質(zhì)測(cè)定儀的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)借鑒
- 【客戶案例】生態(tài)環(huán)境局的法寶 —— 便攜式多參數(shù)水質(zhì)分析儀的生態(tài)價(jià)值
- 佳化化學(xué)（茂名）有限公司采購(gòu)佳航的卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀 JH-V3
- 吉林省力盛制藥有限公司采購(gòu)佳航的顯微熔點(diǎn)儀JHX-5Plus
- 山東金城醫(yī)藥有限公司采購(gòu)佳航的全自動(dòng)密度計(jì)Digipol-D50
- 祝賀2023年全國(guó)機(jī)械行業(yè)職業(yè)技能競(jìng)賽―“三豐杯” 在浙江杭州順利舉行
- 2023年河北省全省無(wú)損檢測(cè)技能比武暨能力對(duì)比 完滿收關(guān)
推薦展會(huì)
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 應(yīng)用于碲鎘汞晶體電學(xué)特性研究
某研究機(jī)構(gòu)采用Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對(duì)碲鎘汞晶體進(jìn)行蝕刻, 并研究碲鎘汞晶體蝕刻后的電學(xué)特性.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 技術(shù)參數(shù):
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
樣品臺(tái) | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
離子源 | 16cm 考夫曼離子源 |
均勻性 | ±5% for 4”Ф |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：
離子源型號(hào) | 離子源 KDC 160 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >650 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | 燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
試驗(yàn)利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發(fā)現(xiàn) 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后轉(zhuǎn)為 n 型, 且由兩個(gè)不同電學(xué)特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.
通過(guò)分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統(tǒng)的n型碲鎘汞材料一致.
不同厚度下的霍爾參數(shù)表明體電子層的電學(xué)性質(zhì)均勻.
另外,通過(guò)計(jì)算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個(gè)數(shù)量級(jí).
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
浙公網(wǎng)安備 33010602002722號(hào)
第62屆中國(guó)高等教育博覽會(huì)
展會(huì)城市：重慶市展會(huì)時(shí)間：2024-11-15