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Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司   2023年01月04日 14:27  

某芯片設(shè)計機構(gòu)研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層.

 

Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

真空腔

1 set, 主體不銹鋼,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,

離子源

? 8cm 考夫曼離子源 KDC75

離子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

極限真空

≦1x10-4 Pa

刻蝕性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

 

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù):

 離子源型號

 離子源 KDC 75 

Discharge

DC 熱離子

離子束流

>250 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

7.5 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

20.1 cm

直徑

14 cm

中和器

燈絲

 

無論對于工藝設(shè)計, 還是生產(chǎn)控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結(jié)構(gòu)(Passivation, Metal, IDL)可一層一層去除, 也就是芯片去層(Delayer), 通過層次去除(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續(xù)實驗, 清楚呈現(xiàn)出每一層電路布線結(jié)構(gòu).

 

若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生        


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