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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體
某廠商研發(fā)部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進(jìn)行拋光加工, 用以消除單點(diǎn)金剛石車削（SPDT）后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:
Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
樣品臺(tái) | 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn) | |
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | |
均勻性 | ±5% for 8”Ф | |
硅片蝕刻率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺(tái). 如下圖：
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)樣品均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高樣品的加工質(zhì)量.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.
通過采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 刻蝕后, 單點(diǎn)金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經(jīng)過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉(zhuǎn)移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生
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第62屆中國(guó)高等教育博覽會(huì)
展會(huì)城市：重慶市展會(huì)時(shí)間：2024-11-15