儀器簡(jiǎn)介：
X-MaxN 的晶體尺寸從適合于微米分析的20 mm2到納米材料分析150 mm2的共四種可選。尤其是150 mm2為當(dāng)今晶體面積zui大的探測(cè)器，分析速度至少是普通探測(cè)器的兩倍。
總覽
探測(cè)器晶體尺寸可選，分別為150 mm2，80 mm2，50 mm2，20 mm2
無論晶體面積或大或小，X-MaxN 的分辨率始終如一的好——并符合標(biāo)準(zhǔn)ISO15632:2012
無論晶體尺寸如何，能譜儀外管尺寸及在電鏡中的位置**，確保相同條件下，計(jì)數(shù)率的增加只源于晶體尺寸的增加
強(qiáng)大的低能端分析，所有晶體面積的能譜儀均保證由Be開始
與上一代X-Max同，無論SEM或FIB均使用同一界面
無論晶體面積如何，優(yōu)異的性能始終如一
X-MaxN 的晶體面積有20mm2, 50mm2, 80mm2 and 150mm2 –其中150mm2 是當(dāng)今晶體面積zui大的能譜儀
因其*地外置型FET場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)計(jì)，X-MaxN 的分辨率*不受晶體面積變化的影響始終如一，且保證全部具有優(yōu)異的低能端檢測(cè)性能
探測(cè)器外管尺寸相同，意味著相同條件下，計(jì)數(shù)率僅與晶體面積有關(guān)
保證所有晶體面積的能譜儀均具有優(yōu)異的能量分辨率
出眾的低能端分析性能，保證所有尺寸的能譜儀皆可探測(cè)到Be元素
使用大面積能譜儀意味著：
低束流下有足夠的計(jì)數(shù)率
盡可能高的實(shí)現(xiàn)圖像的可視性及準(zhǔn)確性
無需為能譜分析改變SEM的條件
在相同束流下，*地提高計(jì)數(shù)率
縮短采集時(shí)間
統(tǒng)計(jì)性更高
實(shí)現(xiàn)小束斑下的能譜分析
提高能譜檢測(cè)的空間分辨率
盡可能體現(xiàn)高分辨電鏡的優(yōu)勢(shì)
晶體面積越大，X-射線計(jì)數(shù)效率越高
相同條件下，晶體面積越大：
以前需要幾分鐘完成的工作，現(xiàn)在僅需要幾秒鐘——面/線分布更易獲得
采集時(shí)間相同，可*地提高分析精度及統(tǒng)計(jì)性
大面積能譜儀——快速獲得所有顯微分析結(jié)果
優(yōu)異的低能端分析性能
X-MaxN 為低能端元素的分析做了巨大的優(yōu)化——無論何種尺寸，均*的表現(xiàn)出優(yōu)異的低能端分析性能
所有尺寸的能譜儀均可保證檢測(cè)到Be，可獲得SiLI峰的面分布
超大面積的能譜儀——均具有優(yōu)異的低能端分析性能
優(yōu)異的空間分辨率
高空間分辨率，X射線擴(kuò)展區(qū)域更小
大面積能譜儀可以在低加速電壓及低束流下采集X-射線
納米尺度的特征可以更好的被檢測(cè)到
超大面積的能譜儀——使高級(jí)的納米分析成為可能
150 mm2 的能譜儀比小晶體面積的優(yōu)勢(shì)在哪里？
舉例為證。加速電壓20kV，束流不到2nA時(shí)，150 mm2 的能譜儀每秒即可輸出200,000的計(jì)數(shù)。而使用10 mm2 的能譜儀時(shí)，需要近20nA下才可達(dá)到相同的計(jì)數(shù)率。
