適用范圍：

? 大規(guī)模數(shù)字集成電路：MCU、DSP、FPGA、CPU、邏輯器件、接口器件和驅(qū)動器件等

? 存儲器集成電路：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR2、EEPROM，Nａnd Flash（PARALLEL, SERIAL），Nor Flash （PARALLEL SERIAL）等

? 特殊器件：ASIC、SOC、Medical、Sensor和客戶定制等器件。

產(chǎn)品特點：

? 一個老化板的插槽能力；

? 手動老化板拔插結(jié)構(gòu)（可選擇自動老化板拔插機構(gòu)）；

? 基于一個PTDM模塊，具備矢量圖形和算法圖形產(chǎn)生和測試驅(qū)動能力；

? 50MHz的系統(tǒng)主時鐘，可以實現(xiàn)高頻率的功能測試；最小可編程脈沖寬度10ns；

? 可以實現(xiàn)數(shù)字集成電路、存儲器電路和混合集成電路的功能測試能力；

? 最多可以配置多達6個程控電源（選件）；可以提供高達104A的電流，老化電源可以并聯(lián)使用；

? 還配置了4路可編程參考電源（Vref）；

? 1G超大矢量存儲器；

? PTDM模塊均有時鐘發(fā)生器、地址發(fā)生器（包括1個16位加減Refresh地址計數(shù)器）、數(shù)據(jù)發(fā)生器、掃描發(fā)生器、圖形發(fā)生器和信號格式化器等信號發(fā)生能力，滿足各種器件的功能測試要求；

? 算法圖形發(fā)生器實現(xiàn)存儲器激勵信號的產(chǎn)生和輸出信號監(jiān)測

? I/O通道均具備三態(tài)編程控制及信號格式化（NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE）能力，最多可以多達16組；

? 具備拓撲及多路轉(zhuǎn)換功能；

標準規(guī)格或主要參數(shù)：

? 適合于EDA的HD型和HD/H型老化板；

? PTDM模塊的主要參數(shù)：

 ? 1G矢量存儲器和失效存儲器；

 ? 主時鐘：50MHz，定時分辨率：10ns；

 ? 最多可提供256 I/O通道，48個激勵信號通道和32個特殊監(jiān)測通道；

 ? 多達4組不同的Vih和Vil數(shù)字信號電平編程設(shè)置能力，保證混合工藝器件的功能測試能力；

 ? Vih編程范圍：0-8V、Vil編程范圍（）：0V～2V；測試閾值電平Vth編程范圍：0V～8V；

 ? 48路激勵通道具備超高信號高電平Vihh的編程能力，編程范圍：0V～15V；

 ? On-the -fly時鐘邊沿設(shè)置數(shù)量：32個；

 ? I/O通道具備NRZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化編程能力；

 ? 通道矢量深度：32M

 ? 每個信號通道的連續(xù)驅(qū)動電流能力：200mA，峰值驅(qū)動電流：3A；

 ? 4路可編程參考電壓，另外最多可選配6組程控老化電源，可提供108A老化電流；

 ? 可選配模擬模塊，每個模塊的模擬通道：4路，具備各種標準模擬信號的產(chǎn)生能力；