“世界上沒(méi)有一個(gè)ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)?！?Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時(shí)期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的，他現(xiàn)在是Picosun董事會(huì)成員之一。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng)，他被譽(yù)為“世界上經(jīng)驗(yàn)豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計(jì)師”。Picosun是ALD。及國(guó)內(nèi)。如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長(zhǎng)達(dá)50多年，研究團(tuán)隊(duì)加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項(xiàng)技術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)。Picosun建立于1997年，核心團(tuán)隊(duì)成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成，都是ALD方面的專家。Picosun團(tuán)隊(duì)，被廣泛譽(yù)為“的ALD團(tuán)隊(duì)”，已經(jīng)對(duì)ALD貢獻(xiàn)了100多項(xiàng)，我們與的研究機(jī)構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作，鞏固了我們?cè)贏LD研究的前沿位置。

一、公司介紹

1）Picosun – ALD者

“世界上沒(méi)有一個(gè)ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)。” Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時(shí)期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的，他現(xiàn)在是Picosun董事會(huì)成員之一。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng)，他被譽(yù)為“世界上經(jīng)驗(yàn)豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計(jì)師”。

Picosun是ALD。及國(guó)內(nèi)。

如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長(zhǎng)達(dá)50多年，研究團(tuán)隊(duì)加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項(xiàng)技術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)。Picosun建立于1997年，核心團(tuán)隊(duì)成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成，都是ALD方面的專家。Picosun團(tuán)隊(duì)，被廣泛譽(yù)為“的ALD團(tuán)隊(duì)”，已經(jīng)對(duì)ALD貢獻(xiàn)了100多項(xiàng)，我們與的研究機(jī)構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作，鞏固了我們?cè)贏LD研究的前沿位置。

2）PICOSUN公司的承諾

芬蘭PICOSUN公司ALD系統(tǒng)的設(shè)計(jì)保證了能夠?qū)Ω鞣N工藝參數(shù)的嚴(yán)格控制，確保得到極度均勻、高重復(fù)性的高質(zhì)量薄膜。設(shè)備容易操作、高度可靠。

二、R-200 Adv 原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

1. 腔體：采用雙層腔體結(jié)構(gòu)。

1.1 真空腔體：

（1）加熱溫度≥650℃；

（2）真空腔體無(wú)水冷系統(tǒng)；

（3）真空腔體所有接口采用KF法蘭和Viton密封圈密封，腔體漏率低于2x10^-8mbar.l/s。

1.2 反應(yīng)腔：

（1）反應(yīng)腔可沉積200 mm基片1個(gè), 兼容小基片；

（2）反應(yīng)腔上配備6個(gè)獨(dú)立的前軀體源管路接口，與前軀體源管路連接，前驅(qū)體蒸汽相對(duì)襯底流動(dòng)模式為噴灑淋浴模式；

（3）反應(yīng)腔沉積溫度，熱工藝沉積溫度600 °C。

（4）基片加載采用氣動(dòng)基片加載/卸載系統(tǒng)，由電腦自動(dòng)控制；

（5）配備顆粒捕捉器及反應(yīng)殘余物燃燒器。

2. 前軀體輸運(yùn)系統(tǒng)：

（1）配備6路獨(dú)立的前軀體源管路。

（2）配置的質(zhì)量流量、壓力傳感器、脈沖閥，采用VCR金屬密封方式密封。

（3）每個(gè)液態(tài)源單獨(dú)配備帕爾帖（Peltier）溫度控制器1套。

（4）加熱源具用boosting功能，加熱溫度不低于300℃。

3. 等離子模塊：

（1）配備遠(yuǎn)程等離子模塊，包括匹配網(wǎng)絡(luò)、等離子體發(fā)生器、包括4路等離子氣路；

（2）每條管路單獨(dú)配置的質(zhì)量流量、壓力傳感器、脈沖閥；

（3）等離子ALD和熱ALD共用一個(gè)腔，等離子體發(fā)生器與基底必須保持足夠距離,功率：100-3000W可調(diào)。

4. 真空系統(tǒng)：配備耐腐蝕真空干泵；真空泵抽速≥400m3/h。

5. 預(yù)真空系統(tǒng)：預(yù)真空腔及其配備單獨(dú)的干泵，可以傳送200 mm (8英寸) 基片,。

6. 控制系統(tǒng)：

   (1) 觸摸屏PC用于ALD反應(yīng)器的操作，的控制軟件和電子電路；人性化的HMI界面，系統(tǒng)可用于處方recipe 模式或手動(dòng)模式；

   (2) 操作界面友好，具備程序儲(chǔ)存、讀取功能，能夠輸出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，顯示24個(gè)小時(shí)內(nèi)設(shè)備系統(tǒng)各部分參數(shù)的時(shí)間趨勢(shì)圖，包括各部分質(zhì)量流量、溫度、壓強(qiáng)的時(shí)間趨勢(shì)圖，用于監(jiān)測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性；

   (3) 沉積過(guò)程中監(jiān)測(cè)顯示每個(gè)源管路的脈沖壓強(qiáng)，顯示脈沖壓強(qiáng)與時(shí)間關(guān)系圖，用于監(jiān)測(cè)脈沖穩(wěn)定性；

歡迎垂詢，電話：,