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- 公司名稱 廣州納儀科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 所在地 廣州市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時(shí)間 2024/9/27 13:45:16
- 訪問(wèn)次數(shù) 34
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法國(guó)IBS公司成立于1987年,一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計(jì)制造與服務(wù),并不斷升級(jí)和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。創(chuàng)始人是來(lái)自法方的技術(shù)專家,在其帶領(lǐng)下,整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)技術(shù)更新的熱忱與努力,嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性。產(chǎn)品有多種型號(hào)包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力。應(yīng)用:主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。
一、公司介紹
法國(guó)IBS公司(IBS INFORMATION)成立于1987年,一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計(jì)制造與服務(wù),并不斷升級(jí)和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。
創(chuàng)始人是來(lái)自法方的技術(shù)專家,在其帶領(lǐng)下,整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)技術(shù)更新的熱忱與努力,嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性。產(chǎn)品有多種型號(hào)包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力。
二、IMC 200離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)
應(yīng)用:主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。
注入晶圓尺寸:6英寸,兼容2-5英寸、不規(guī)則小片,最小可注入1cm2的樣品。
注入能量范圍:20-200KeV;可升級(jí)到最小3KeV或二價(jià)/三價(jià)離子,注入能量400/600Kev;
注入角度:0°、7°,可通過(guò)手動(dòng)更換夾具的方式改變注入角度0°-45°
注入劑量范圍:1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2
注入均勻性:片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1xE14 at/cm2);
真空度:離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);
束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);
靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):
離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵,高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵,高真空泵為冷泵。
注入束流:11B單價(jià)離子:>600μA;
31P單價(jià)離子:>1500μA;
75As單價(jià)離子:>1500μA。
(注入條件:6英寸晶圓,注入能量120KeV-200KeV)。
氣路系統(tǒng):含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2,所有氣路系統(tǒng)都集成在機(jī)器里面能實(shí)時(shí)監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測(cè)技術(shù)。
軟件功能:包括但不限于:權(quán)限管理、參數(shù)管理、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報(bào)警管理等。軟件可根據(jù)需求免費(fèi)更新升級(jí)。
三、PULSION離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)
優(yōu)勢(shì):3D浸沒(méi)式離子注入,不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制;可靠性高,氣體消耗量低,易于維護(hù),成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù),所需能量低,電流輸入輸出能力高,工藝穩(wěn)定性高,可以實(shí)現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時(shí)間短:工藝時(shí)間與待注入的機(jī)械部件的大小無(wú)關(guān),即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動(dòng)、工程和手動(dòng)模式,工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯,參數(shù)可監(jiān)測(cè)、控制和記錄,可查看報(bào)警歷史。
原理:把要處理的部件放在真空室中的夾具上,并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負(fù)電壓時(shí),開(kāi)始注入。
應(yīng)用:改善表面機(jī)械性能,減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;
提高生物相容性;逸出功工程;加氫,吸氣;
用于高級(jí)存儲(chǔ)器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)
加速電壓:1 kV-10kV
標(biāo)準(zhǔn)注入電流:5 mA-100 mA (N2)
標(biāo)準(zhǔn)注入時(shí)間:30 min -3 h
可注入選項(xiàng):N,C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...
注入部件尺寸:<400 mmx400 mmx200 mm
輻射:在任意外部屏蔽點(diǎn)10cm處,輻射值<0.6μSv/h1
注入劑量范圍:1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2
腔室idle氣壓:<5xE-6 mbar
設(shè)備尺寸:1.6x2.15x2.3m(標(biāo)準(zhǔn)型);2.15x2.15x2.3m(加大型)
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