IV曲線追蹤掃描儀& 半導體圖示儀 能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
STD2000IV曲線追蹤掃描儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內(nèi)阻Rds(on)）。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類，包括“二極管類”“三極管類（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保護類器件”“穩(wěn)壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監(jiān)測類”等品類的繁多的電子元器件。
高壓源標配1400V（選配2KV），高流源標配100A（選配40A,200A,500A）
控制極/柵極電壓40V，柵極電流100mA
分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
STD2000IV曲線追蹤掃描儀系統(tǒng)適用于曲線追蹤儀還可測試“結(jié)電容”，支持“脈沖式一鍵加熱”和“分選機連接”
一、產(chǎn)品信息及規(guī)格
產(chǎn)品型號：STD2000
產(chǎn)品名稱：IV曲線追蹤掃描儀& 半導體圖示儀
主機尺寸：深660*寬430*高210(mm)
主機重量：＜35kg
主機功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超過 4000m；
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；
相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa；
防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等；
電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作時間：連續(xù)；
二、產(chǎn)品特點
三代半：優(yōu)秀的性能應(yīng)對第三代半導體及傳統(tǒng)器件，Si, sic,GaN 器件
測試品類：覆蓋 25 類常見的電子元器件及 IC 類，且支持定制擴展
功能豐富：輕松表征元器件“靜態(tài)特性”“IV 曲線”“Cxss”“CV”
分析篩選：功能全面，配置豐富，勝任實驗室場景中各類電參數(shù)表征
量產(chǎn)測試：1h高達 7K~12K 的測試效率，可連接“分選機”“編帶機”Prober 接口、16Bin
一鍵加熱：一鍵脈沖自動加熱至+130°C，耗時< 1s
高壓源：1400V (選配2KV)
高流源：40A(選配100A,200A,500A)
驅(qū)動電壓：20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)
漏電測量：1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測量，表現(xiàn)出優(yōu)秀的一致性和穩(wěn)定性，更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。
高精度：16 位ADC/DAC，0.1%精度，1M/S 采樣速率
程控軟件：基于Lab VIEW 平臺開發(fā)的填充式菜單軟件界面
夾具工裝：適配各類封裝形式的器件，自動識別器件極性 NPN/PNP
校準：系統(tǒng)自帶校準軟件，也可通過RS232 接口連接數(shù)字表進行校驗
三、測試范圍
01. Diode / 二極管（穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端 肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋）
02. BJT / 三極管
03. Mosfet & JFET / 場效應(yīng)管
04. SCR / 可控硅（單向/雙向）
05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管
06. OC / 光耦 07. Relay / 繼電器
08. Darlington tube / 達林頓陣列
09. Current sensor/電流傳感器
10. 基準 IC(TL431)
11. 電壓復位IC
12. 穩(wěn)壓器（三端/四端）
13. 三端開關(guān)功率驅(qū)動器
14. 七端半橋驅(qū)動器
15. 高邊功率開關(guān)
16. 電壓保護器（單組/雙組）
17. 開關(guān)穩(wěn)壓集成器
18. 壓敏電阻
19.電壓監(jiān)控器
四、測試參數(shù)
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、 VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、 IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
間接參數(shù)：IL
混合參數(shù)：RDSON、gFS、Input@Output / Regulation
五、應(yīng)用場景
1、測試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計階段的初始測試，主要功能為曲線追蹤儀）
2、失效分析（對失效器件進行測試分析，查找失效機理。以便于對電子整機的整體設(shè)計和使用過程提出改善方案）
3、選型配對（在器件焊接至電路板之前進行全部測試，將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進行分類配對）
4、來料檢驗（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對入廠器件進行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
5、量產(chǎn)測試（可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設(shè)備，實現(xiàn)規(guī)?；?、自動化測試）
6、替代進口（半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)可替代同級別進口產(chǎn)品）
六、性能指標
