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參考價(jià) | 面議 |
- 公司名稱 深圳市長豐檢測設(shè)備有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 深圳市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時(shí)間 2024/8/6 15:28:26
- 訪問次數(shù) 63
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一、常規(guī)參數(shù)1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長*高)2.設(shè)備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過50A;3.設(shè)備部署環(huán)境:萬級淨(jìng)化間,溫度21~23℃,相對濕度45±5%
一、常規(guī)參數(shù)
1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長*高)
2.設(shè)備參數(shù)配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過50A;
3.設(shè)備部署環(huán)境:萬級淨(jìng)化間, 溫度21~23℃,相對濕度45±5%;
4. MTTR/平均故障修復(fù)時(shí)間<4小時(shí),MTBF/平均時(shí)間>250小時(shí),
Uptime/正常運(yùn)行時(shí)間≥92% .
5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs
6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers(基於20秒descum工藝時(shí)間程式)
7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr;leakage check腔體漏率≤10mtorr/min
8.Partical/顆粒度 :<30ea@0.2um 腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆
9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議
二、技術(shù)規(guī)格
2.1設(shè)備規(guī)格
主機(jī)部分 | ||
No. | Item/專案 | Specification/規(guī)格說明 |
1 | Plasma Source
| RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz RF bias(底部射頻偏壓) 600W,13.56MHz |
2 | Process Chamber | 工作臺chuck溫度範(fàn)圍: 20~50℃; 可選chuck控溫:50~250℃ 水冷機(jī)控溫 適合wafer尺寸: 200mm wafer 腔體數(shù)量: 2個(gè) Al 6061 腔體 腔體自動(dòng)門:中國臺灣AdvanTorr |
3 | Gas Supply System | 單個(gè)腔體工藝氣路:3路 MFC品牌:MKS 腔體氣路: O2/N2/Ar,CF4為選配氣體 |
4 | Vacuum System | 幹泵: 愛德華 壓力控制: Throttle valve 蝶閥 中國臺灣HTC 真空計(jì):Inficon Vacuum Gauge |
5 | Auto Wafer Transfer System | 上料臺:2 cassette 上料臺,適合 8 inch wafers; Cassette wafer mapping:晶圓擺放檢測 VAC Robot; 日本JEL |
6 | Control System | PC:工業(yè)電腦 Windows系統(tǒng)控制; 操作軟體: 介面友好,圖形化視圖,自動(dòng)保存log檔 |
7 | Safety System | EMO: 三個(gè)急停按鈕 Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum |
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