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BCD-310 四探針導(dǎo)電電阻測試儀

參考價(jià) 20000
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四探針導(dǎo)電電阻測試儀本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示,無需人工計(jì)算,并帶有溫度補(bǔ)償功能,電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇,BCD-310 材料電導(dǎo)率測試儀自動(dòng)測量并根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

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四探針導(dǎo)電電阻測試儀四探針導(dǎo)電電阻測試儀

覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法,液晶顯示,自動(dòng)測量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

概述:采用四端測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,實(shí)驗(yàn)室;是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具??膳渲貌煌瑴y量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示,溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)量程,自動(dòng)測量電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出;選配:PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器,薄膜按鍵操作簡單,中文或英文兩種語言界面選擇,電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%,直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距,四探針應(yīng)以等距離直線排列,探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R,)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。

四探針導(dǎo)電電阻測試儀

9.4計(jì)算幾何修正因子F,見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣,選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針,針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣,選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針,針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表,能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻,溫度針0℃-40℃,小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會(huì)影響測試結(jié)果,甲醇、99.5%,干燥氮?dú)?。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針,針實(shí)半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會(huì)引入測試誤差,硅片幾何形狀,表面粘污等會(huì)影響測試結(jié)果,R(TD-R_xF式中:計(jì)算每一測量位置的平均電阻R.,見式(3).試劑優(yōu)級純,純水,25℃時(shí)電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..計(jì)算每一測量位置在所測溫度時(shí)的薄層電阻(可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃,具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上,試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長,到達(dá)熱平衡時(shí),試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流,令其任一方向?yàn)檎?,調(diào)節(jié)電流大小見表1測量范圍電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方  阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□電  阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式?jīng)Q定)直    徑:A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,   方測試臺直接測試方式180mm×180mm,    長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm,    測量方位: 軸向、徑向均可




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