近中紅外熒光光譜系統(tǒng)
近中紅外具體指哪個(gè)波段?
紅外波,是電磁頻譜中的重要組成部分。相較于我們常說的可見光波段,是人眼所無法看到的成分。紅外輻射覆蓋從700nm到1mm的范圍,常見地按照波段進(jìn)行區(qū)分,紅外分為以下幾個(gè)部分:近紅外(0.75-1.4μm)、短波紅外(1.4-3μm)、中紅外(3-8μm)、長波紅外(8-15μm)、遠(yuǎn)紅外(15-1000μm),所以近中紅外區(qū)我們大致概括為700nm到8μm范圍。
紅外與電磁波譜的關(guān)系
波段 | 波長范圍 | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
近紅外 | 0.75 - 1.4μm | 材料科學(xué)、光纖通信,醫(yī)學(xué)領(lǐng)域 |
短波紅外 | 1.4 - 3μm | 電信和軍事應(yīng)用 |
中紅外 | 3 - 8μm | 化學(xué)工業(yè)和天文學(xué) |
長波紅外 | 8 - 15μm | 天文望遠(yuǎn)鏡和光纖通信 |
遠(yuǎn)紅外 | 15 - 1000μm | 通常用于癌癥治療 |
不同紅外區(qū)的波段及應(yīng)用
近中紅外熒光材料的典型應(yīng)用——近中紅外激光晶體
Er:YAG和Cr,Er:YAG激光晶體棒的圖片
由于3μm中紅外波段激光在軍工領(lǐng)域、激光理療設(shè)備及環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景,稀土離子摻雜的固體激光材料因此得到廣泛關(guān)注及大量研究。
較早被研究的材料有基于808nm、980nm激光器激發(fā)的Er3+的2.7μm發(fā)射(4I11/2-4I13/2躍遷),隨著半導(dǎo)體激光器在短波長逐漸成熟,衍生出了Ho3+離子摻雜的LiYF4,使用640nm的激光激發(fā)可產(chǎn)生1.2μm(5I6-5I8),2.0μm(5I7-5I8),2.8-3μm(5I5-5I7)均具有較強(qiáng)的熒光,再有硫系玻璃如Ho3+摻雜的Ge-Ga-S-CsI玻璃,在900nm激發(fā)下能夠發(fā)射2.81μm(5I6-5I7)和3.86μm(5I5-5I6)。
近中紅外客戶案例與實(shí)測數(shù)據(jù)
1) 摻鉺微晶玻璃的中紅外熒光光譜
在眾多激光玻璃材料中,由于Er離子摻雜的氟化物玻璃具有較低的聲子能量、優(yōu)異的中紅外透過特性、較高的激光損傷閾值,因此它是目前實(shí)現(xiàn)2.7μm波段光纖激光器的候選材料并備受關(guān)注,其2.7μm波段發(fā)光源于Er3+離子的4I11/2-4I13/2躍遷。
采用卓立漢光中紅外熒光測試系統(tǒng),系統(tǒng)組成:980nm激光器、Omni-λ5015i影像校正型紅外單色儀、紅外鍍金反射式樣品室、液氮制冷型InSb探測器(光譜響應(yīng)范圍1-5.5um)。
摻鉺中紅外熒光微晶玻璃
PL譜測試結(jié)果,發(fā)射峰在2.7μm左右。
2) 近中紅外熒光光譜系統(tǒng)
配置808nm,980nm激光器摻Er離子樣品發(fā)射在1550nm,2730nm左右。
3)近中紅外熒光光譜系統(tǒng)
PbS量子點(diǎn)ns壽命測量及時(shí)間分辨熒光光譜
碲酸鹽玻璃摻雜硫酸鋅
YAG:Er晶體
系統(tǒng)性能及指標(biāo) |
穩(wěn)態(tài)測試 | 發(fā)射光譜:1-5.5μm(選配探測器拓寬光譜范圍) |
瞬態(tài)測試 | 熒光壽命衰減尺度:μs-ms-s(需配置示波器,具體視激發(fā)光源而定) |
激發(fā)光源 |
連續(xù)激光 | 808nm、980nm、1064nm、1550nm、1940nm等 |
OPO可調(diào)諧激光器 | 可選輸出范圍:3000-3450nm,2700-3100nm,650-2400nm,410-2400nm,210-2400nm。重復(fù)頻率:20Hz,脈沖:≤6ns,mJ級別的單脈沖能量 |
納秒固體激光器 | 2940nm,1064nm,532nm等 |
光路切換 | 外置3路激光切換裝置,通過推拉裝置進(jìn)行光路切換,無需移動或調(diào)整激光 |
樣品倉 |
結(jié)構(gòu) | 紅外專用鍍金反射式樣品倉,帶兩個(gè)激光吸收阱,帶高通濾光片插槽 |
樣品架 | 標(biāo)配:液體、粉末、薄膜樣品架 |
光譜儀 |
光路結(jié)構(gòu) | Czerny-Turner(CT)光路設(shè)計(jì),焦距:320mm,雜散光:1*10-5 |
光柵配置 | 配置三塊進(jìn)口光柵,尺寸:68mm×68mm |
光子計(jì)數(shù)型探測模塊 |
近紅外光電倍增管 | 950-1700nm,TE制冷型,制冷溫度:-60℃,最小有效面積? 1.6mm,增益:1×106,陽極暗計(jì)數(shù):2.5×105,陽極脈沖上升時(shí)間:0.9ns |
近紅外光電倍增管 | 300-1700nm,液氮制冷型,制冷溫度:-80℃,最小有效面積3×8mm,增益:1×106,陽極暗計(jì)數(shù):2.5×105,陽極脈沖上升時(shí)間:3ns |
單光子計(jì)數(shù)器 | 計(jì)數(shù)率:100Mcps,采樣速率:1MB/S,四通道模擬輸入:1-10V,通道數(shù):10000 |
時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)器 | 計(jì)數(shù)率:100Mcps,分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps,通道數(shù):65535 |
模擬信號型探測模塊 |
TE-InGaAs探測器 | 800-1700nm,TE制冷型,制冷溫度:-40℃,光敏面直徑:3mm,峰值響應(yīng)度:0.9 A/W,配置溫控器及前置放大器,溫度穩(wěn)定度:±0.5℃,信號輸出模式:電流 |
TE-InGaAs探測器 | 800-2600nm,TE制冷型,制冷溫度:-40℃,光敏面直徑:3mm,峰值響應(yīng)度:1.2 A/W,配置溫控器及前置放大器,溫度穩(wěn)定度:±0.5℃,信號輸出模式:電流 |
LN-InSb探測器 | 1-5.5μm,液氮制冷型,制冷溫度:77K,光敏面尺寸:?2mm,峰值響應(yīng)度:3A/W,配置前置放大器,信號輸出模式:電流 |
LN-MCT探測器 | 2-12μm(另有14μm、16μm、22μm選項(xiàng)),液氮制冷型,制冷溫度:77K,光敏面尺寸:1×1mm,峰值響應(yīng)度:3x103V/W,配置前置放大器,信號輸出模式:電壓 |
鎖相放大器 | 參考信號通道,頻率范圍:50mHz至102kHz,輸入阻抗:1MΩ/25pF,輸入信號類型:方波或正弦波,相位分辨率:0.01°,相位漂移:低于10kHz <0.1°/℃;高于10kHz:<0.5°/℃ |
斬波器 | 頻率范圍:標(biāo)配20~1KHz( 10孔),30~1.5KHz(15孔),60~3KHz(30孔),TTL/COMS電平輸入輸出,頻率穩(wěn)定性:250ppm/℃,頻率漂移:<1%,輸入輸出連接器:BNC |
時(shí)序控制器 |
可編程延時(shí)發(fā)生器 | 脈沖通道個(gè)數(shù):6個(gè),一個(gè)T(時(shí)鐘基準(zhǔn)),其他為CH1-CH5,單個(gè)脈沖周期:最小值100ns(10MHz),最大值1s(1Hz),單個(gè)脈沖寬度:≥50ns,脈沖延遲:100ns-1s(基于T通道時(shí)鐘),脈沖輸出高電平:T,CH1-CH2:5±0.5V/20mA;CH3:4.5V±0.5V/100mA(適用于50Ω輸入阻抗外設(shè));CH4-CH5:3.3±0.5V/高阻,分辨率:1μs,上升時(shí)間:4-6ns |
電源:USB供電:5V/500mA,通訊接口:USB2.0,輸出接口:SMA |
示波器 |
示波器 | 模擬帶寬:500 MHz,通道數(shù):4+ EXT,實(shí)時(shí)采樣率:5GSa/s(交織模式),2.5GSa/s(非交織模式),存儲深度:250Mpts/ch(交織模式),125 Mpts/ch(非交織模式) |
電腦及軟件 |
標(biāo)配電腦 | |
標(biāo)配操作系統(tǒng) | Windows系統(tǒng) |
Omni-Win控制軟件 | 穩(wěn)態(tài)測試功能:激發(fā)掃描,發(fā)射掃描,同步掃描,三維掃描 瞬態(tài)測試功能:動力學(xué)掃描,壽命掃描,時(shí)間分辨光譜掃描 可選功能:溫度控制掃描 |
光學(xué)平臺 | |
阻尼隔振光學(xué)平臺 | 尺寸(L×W×H):1500mm×1000mm×800mm |
阻尼隔振光學(xué)平臺 | 尺寸(L×W×H):1800mm×1200mm×800mm |
相關(guān)文章成果
液氮制冷型MCT檢測器
1、 基于全光纖結(jié)構(gòu)的2-6.5μm紅外高能量超連續(xù)光源輸出光譜測量[1]
(a) 不同長度的As2S3光纖輸出光譜測量; (b) 4m As2S3 光纖在不同輸入光能量下的輸出光譜
2、PPLN晶體中通過溫度調(diào)諧自由差頻產(chǎn)生的連續(xù)波2.9-3.8μm 隨機(jī)激光光譜測量[2]
2.9μm-3.8μm可調(diào)諧中紅外隨機(jī)激光光譜測量
液氮制冷型InSb檢測器
1、中紅外發(fā)光硫鹵玻璃陶瓷中紅外發(fā)光研究[3],通過引入Ga2S3納米晶,極大增強(qiáng)了硫鹵玻璃陶瓷位于2.3和3.8μm處的中紅外發(fā)光強(qiáng)度。下圖為440℃不同熱處理時(shí)間下的硫鹵玻璃陶瓷中紅外發(fā)射光譜測試,淺藍(lán)曲線為主體玻璃陶瓷的發(fā)光。
硫鹵玻璃陶瓷中紅外發(fā)射光譜
2、能量轉(zhuǎn)移相關(guān)的Ho3+摻雜Yb3+敏化氟鋁酸玻璃的中紅外2.85μm發(fā)光研究[4]
Ho3+/Yb3+ 摻雜氟鋁酸玻璃的中紅外熒光光譜
TE制冷型InGaAs檢測器
Bi:CsI晶體的超寬近紅外發(fā)光光譜[5]
300K不同激發(fā)波長下Bi:CsI 晶體的近紅外發(fā)光光譜
參考文獻(xiàn):
【1】Bin Yan etal, Optics Express, Vol. 29, No. 3
【2】Bo Hu etal, Science China-Information Sciences , August 2023, Vol. 66
【3】Shixun Dai etal, Journal of Non-Crystalline Solids 357 (2011) 2302–2305
【4】Beier Zhou etal,Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer, 149(2014)41–50
【5】Liangbi Su etal, OPTICS LETTERS , Vol. 36, No. 23, December 1, 2011