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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 弘度科學(xué)儀器（上海）有限公司
品牌
型號(hào)
所在地上海
廠商性質(zhì) 其他
更新時(shí)間 2024/4/29 16:27:35
訪問次數(shù) 58

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

PhysTech在1990年推出了臺(tái)數(shù)字DLTS，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜計(jì)算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學(xué)模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號(hào)重疊法、溫度掃描信號(hào)重疊法（重折疊）。與其他系統(tǒng)相比，HERA-DLTS具有的能量分辨率。

詳細(xì)信息在線詢價(jià)

半導(dǎo)體的摻雜濃度、缺陷能級(jí)位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導(dǎo)體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。

特點(diǎn)：

自動(dòng)接觸檢查
常規(guī)測試和加強(qiáng)軟件
自動(dòng)電容補(bǔ)償
三終端FET電流瞬態(tài)測量
大電容和濃度范圍
靈活性高、模塊化硬件
支持各種冷卻倉和溫度控制器
傅里葉轉(zhuǎn)換（F-DLTS），比例窗口和用戶自定義校正功能
DLTFS（深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀）評(píng)價(jià)

操作模式：

C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS（等溫瞬態(tài)光譜儀）
缺陷分析
俘獲截面測量
I/V, I/V(T)理查森標(biāo)繪圖
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS（光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜）
DLOS(特殊系統(tǒng))

規(guī)格：

分辨率：	1*10⁸ atoms/cm3
脈沖發(fā)生器
電壓范圍：	±20.4V（±102opt.）
電壓分辨率:	0．625mV
電流:	＞±15mA
脈沖寬度:	1μs-1000s
快速脈沖選配

電容表
HF信號(hào):	100Mv@1MHz(20mV optional)
范圍[pF]:	3,30,300,3000(自動(dòng)或手動(dòng))
電容補(bǔ)償:	0.1-3000 pF（自動(dòng)或手動(dòng)）
靈敏度:	0.01 fF

電壓測量
范圍:	±10V
靈敏度:	＜1μV
輸入電阻:	10⁶Ohm
可提供偏壓補(bǔ)償:

電流測試
范圍:	5，從±1μA 到±10mA
靈敏度:	＜1pA
可提供漏電保護(hù)

瞬態(tài)記錄
樣品速率:	2μs到2000s
樣品數(shù)量:	16-16384（opt.64k）
可調(diào)節(jié)抗失真濾膜

標(biāo)準(zhǔn)冷卻倉
溫度范圍:	15K-450K或77K~800K
溫度掃描方式：	使用28個(gè)不同的相關(guān)功能（軟件）通過一次溫度掃描，給出28個(gè)溫度掃描信號(hào)。

典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV）
靈敏度:	10^-7T/(N_D-N_A)<10^-5
能量精度:	H_T+/-3%
能量分辨率:	10meV
發(fā)射率:	10^-3/s4/s