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WCT儀器展示Sinton的測量和分析技術(shù)，包括半標準準穩(wěn)態(tài)光電導系數(shù)（QSSPC)測量方法，該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復壽命經(jīng)過準確校準的測量方式，廣泛應用于太陽能單晶和多晶硅片。
的瞬態(tài)光電導技術(shù)
QSSPC技術(shù)對于監(jiān)測多晶硅硅片，摻雜劑的擴散，和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補充了瞬態(tài)光電導技術(shù)的運用。瞬態(tài)光電導技術(shù)在這臺設(shè)備上也是標準的。
QSSPC壽命測量
QSSPC壽命測量也產(chǎn)生隱含的開路電壓（與lllumination)曲線，這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進行比較。
優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
Sinton設(shè)備的分析能為每個晶片產(chǎn)生校準載流子注入水平，所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測量都會顯示和記錄特定的參數(shù)。
WCT系統(tǒng)功能
單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù)，包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓
?制造過程的逐步監(jiān)測和優(yōu)化
?監(jiān)測初始材料質(zhì)量
?晶片加工過程中檢測重金屬雜質(zhì)
?評估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴散
?使用隱含V測量評估過程引起的分流
| 項目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 測量參數(shù) | 少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標準太陽下Voc |
| 壽命測量范圍 | 100nm-10ms |
| 測量（分析）模式 | QSSPC，瞬態(tài)和歸一化壽命分析 |
| 電阻率測量范圍 | 3-600（未摻雜）Ohms/sq |
| 可得到的偏壓范圍 | 0-50suns |
| 可得到的光譜 | 白光和紅外光 |
| 感應范圍 | 直徑40mm |
| 樣品尺寸，標準配置 | 標準直徑：40-230mm |
| 硅片厚度范圍 | 10-2000um |
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