l 失效分析實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)用（芯片去層/線(xiàn)路或Pad切割與熔接電性能測(cè)試驗(yàn)證）

l 激光鐳射波長(zhǎng)1064/532/355nm 可選擇性去除特定材料、而不損傷下層或基底

l 材料/器件（尤其是射頻特征芯片）的 IV/PIV/CV 電性測(cè)試和失效分析。

l 最小切割線(xiàn)寬：355nm 1um; 532nm 1.2um ; 1064nm 1.5um

l 探針平臺(tái)可以上下微調(diào)，行程25mm，升降精度1um

l 卡盤(pán)，采用中心吸附孔和多圈吸附環(huán)固定樣品

l 可調(diào)節(jié)顯微鏡快速傾仰，便于更換物鏡，帶自動(dòng)鎖定功能。

l 高功率白色照明光源（亮度可以無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)）