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- 公司名稱 深圳市科時達(dá)電子科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 深圳市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2024/1/23 13:44:22
- 訪問次數(shù) 62
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1、 設(shè)備組成以及主要功能少子壽命測試儀WCT-120包括如下部分:1)帶有渦電流感應(yīng)器的樣品臺,2)帶有紅外濾光片的程控閃光燈光源系統(tǒng),3)內(nèi)置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套,4)用于信號傳輸?shù)男盘柡校?)程控的電源供應(yīng)器FPS-300,5)連接各個硬件的連接線等Suns-Voc包括如下部分:1) 放置樣品的測量臺,2)帶有中性濾光片的程控閃光燈。
1、 設(shè)備組成以及主要功能
少子壽命測試儀WCT-120包括如下部分:
1)帶有渦電流感應(yīng)器的樣品臺,2)帶有紅外濾光片的程控閃光燈光源系統(tǒng),3)內(nèi)置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套,4)用于信號傳輸?shù)男盘柡校?/span>5)程控的電源供應(yīng)器FPS-300,5)連接各個硬件的連接線等
Suns-Voc包括如下部分:
1) 放置樣品的測量臺,2)帶有中性濾光片的程控閃光燈,3)內(nèi)置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套(與WCT-120共用),4)用于信號傳輸?shù)男盘柡校ㄅcWCT-120共用)5)程控的電源供應(yīng)器FPS-300(與WCT-120共用),5)連接各個硬件的連接線等
少子壽命測試儀WCT-120&Suns-Voc(WCT-120的標(biāo)準(zhǔn)附屬設(shè)備)的主要功能
1)量測得到硅片樣品在注入濃度下的符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV13-0211的經(jīng)過校準(zhǔn)后的復(fù)合少子壽命值即Tau@Δn
2) 量測得到硅片樣品的電阻率 Resistivity
3) 量測得到硅片樣品的陷阱密度Trap density
4) 量測得到硅片樣品發(fā)射極飽和電流密度J0
5) 量測得到硅片樣品在沒有做成太陽能電池片之前估計在1個太陽輻照度下的開路電壓值One-Sun Voc
6) WCT-120可以搭配標(biāo)準(zhǔn)附件Suns-Voc一起使用,Suns-Voc可以量測形成PN結(jié)后的樣品在不同輻照強(qiáng)度下的開路電壓值以及通過內(nèi)建模型計算出樣品的IV特性參數(shù);Teff,FF等。同時可以通過計算獲得電池片的串聯(lián)電阻值Rs
2、 技術(shù)參數(shù)
2.1 WCT-120技術(shù)參數(shù)
1) 符合SEMI光伏產(chǎn)品少子壽命量測標(biāo)準(zhǔn),SEMI PV13-0211標(biāo)準(zhǔn):利用渦電流傳感器以非接觸測試方法量測硅片,硅塊,硅錠過剩載流子復(fù)合壽命
Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor
2) 量測原理:利用渦電流法獲得硅片樣品在準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光脈沖下獲得的光電導(dǎo)(QSSPC)和瞬態(tài)光脈沖下獲得的光電導(dǎo)(TPC),并將量測得到的光電導(dǎo)利用載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)等式轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的載流子濃度,并最終得到不同載流子濃度下對應(yīng)的硅片少子壽命值
3) 硅片少子壽命量測范圍:0.1us—10ms(在對應(yīng)的注入濃度(Δn)下)
4) 量測(分析)模式包括:準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)(QSSPC), 瞬態(tài)(Transient),以及一般態(tài)(Generalized)三種分析模式三種
5) 量測電阻率范圍:3–600 (未摻雜樣品) Ohms/sq.
6) 可調(diào)光偏壓范圍:0-50suns
7) 經(jīng)過校準(zhǔn)的注入濃度范圍:1013–1016 cm-3
8) 光源光譜:白光和紅外光
9) 光源波長:>1000nm
10) 量測樣品感應(yīng)器大?。褐睆綖?/span>40mm
11) 感應(yīng)器感應(yīng)深度:3000um
12) 量測樣品大?。褐睆?/span>40-210mm;直徑更小的樣品也可以量測
13) 量測樣品厚度:10-2000um;其他厚度樣品也可以量測
14) 樣品的贗開路電壓(Implied Voc): 可以得到樣品在做成太陽能電池片之前的贗開路電壓(implied Voc)
15) 搭配Suns-Voc一起使用:可以搭配Suns-Voc一起使用,Suns-Voc作為WCT-120的附件。
16) A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率:12bit 采樣率為5MS/s
17) 工作溫度:20℃-25℃
18) 設(shè)備尺寸:22.5 cm 寬 x 28 cm深 x 57 cm 高
19) 通用電源電壓:100-230VAC, 50/60Hz
20) 保質(zhì)期:一年保修所有硬件和軟件
2.2 Suns-voc技術(shù)參數(shù)
1) 量測得到樣品在開路狀態(tài)下的贗電流電壓(implied IV)曲線:
2) 量測得到樣品在做成電池片之前獲知其本應(yīng)能夠得到的效率值,和填充因子。
3) 可以實現(xiàn)對樣品進(jìn)行雙二極管模型分析,得到電池片的J01和J02。
4) 得到樣品的并聯(lián)電阻(shunt Resistance)電阻值,分析電池片的漏電狀況。
5) 經(jīng)過校準(zhǔn)的光源的輻照范圍:0.006-6個suns
6) 量測樣品尺寸:為210mm
7) 夾具溫度可控制在25攝氏度
8) 工作溫度:18℃-25℃
9) 設(shè)備損耗功率:260W
10)設(shè)備尺寸:32 cm 寬 x 28.5 cm深 x 75 cm 高
11)量測原理:電池片工作在開路狀態(tài),通過量測探針直接量測電池片在不同服照度下的開路電壓值,軟件內(nèi)建雙二極管模型回推得到J01,J01, Rshunt等參數(shù),也可以通過計算得到電池片的少子壽命值,并可以去除電池片串聯(lián)電阻Rs的影響回推得到電池片在相應(yīng)制程下應(yīng)該得到的IV參數(shù)(效率,填充因子等)
3、WCT-120&Suns-voc設(shè)備應(yīng)用
1)監(jiān)測原始材料的質(zhì)量,對其進(jìn)行等級分類。
2)檢測晶元重金屬含量處理
3)評估硅片表面和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散
4)電池片制造工藝的監(jiān)控和優(yōu)化
5)提供太陽能電池片在加工過程中能夠得到的IV參數(shù)
4、WCT-120&Suns-Voc組成清單
1)WCT-120樣品臺一個
2)含有紅外濾光片的WCT-120程控閃光燈光源系統(tǒng)一套
3)Suns-Voc樣品臺一個
4)帶有中性濾光片的Suns-Voc程控閃光燈光源系統(tǒng)一套
5)信號盒一個
6)帶有WCT-120和Suns-Voc軟件和NI數(shù)據(jù)采集卡的電腦一套
7)硬件連接線纜
8)電源供應(yīng)器一套
9)校準(zhǔn)套件 一套
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