主要特點(diǎn):
高分辨觀察
利用金顆粒保證0.144nm分辨率DF-STEM像（標(biāo)準(zhǔn)型）。
大束流分析
約為非校正的STEM探針電流的10倍，可以進(jìn)行高速、高靈敏度能譜分析，可以在更短的時(shí)間內(nèi)獲得元素的面分布圖，使得檢測微量元素成為可能。
簡化的操作
提供了專用的GUI自動(dòng)調(diào)節(jié)球差校正器
整體的解決方案
樣品桿與日立FIB兼容，提供了納米尺度的整體解決方案，從制樣到數(shù)據(jù)獲得和最終分析
多種評價(jià)和分析功能可選
可同時(shí)獲得和顯示SE&BF、SE&DF、BF&DF、DF/EDX和DF/EELS像；可以配備ELV-2000型實(shí)時(shí)元素Mapping系統(tǒng)(DF-STEM像可以同時(shí)獲得)；可以同時(shí)觀察DF-STEM像和衍射像；可以配備超微柱頭樣品桿進(jìn)行三維分析(360度旋轉(zhuǎn))等。
| 項(xiàng)目 | 主要參數(shù) |
| 電子槍 | 冷場或熱場發(fā)射電子槍 |
| 加速電壓 | 200kV、120kV* |
| 線分辨率 | 0.144nm（標(biāo)準(zhǔn)型，配有球差、冷場或熱場） |
| 0.136nm（高分辨型，配有球差、冷場） |
| 0.204nm（標(biāo)準(zhǔn)型，配有熱場，無球差） |
| 放大倍率 | 200x - 10,000,000x |
| 圖像模式 | BF-STEM相襯度像(TE像)、DF-STEM原子序數(shù)襯度像(ZC像)、二次電子像(SE像)、電子衍射花樣(可選)、特征X射線像(可選：EDX)、EELS像(可選：ELV-2000) |
| 電子光學(xué) | 電子槍：冷場或熱場發(fā)射電子槍，內(nèi)置陽極加熱器 透鏡系統(tǒng)：兩級聚光鏡、物鏡、投影鏡 球差校正器：六極/傳輸 雙重（標(biāo)準(zhǔn)型和高分辨型） 掃描線圈：兩級電磁線圈 電位移：±1μm |
| 樣品桿 | 側(cè)插式，X=Y=±1mm，Z=±0.4mm ，T=±30°(單傾樣品桿) |
應(yīng)用領(lǐng)域: HD-2700作為一款場發(fā)射球差校正的掃描透射電鏡，不僅具有高分辨率的圖像觀察能力，同樣具有高空間分辨率的分析能力，配合EELS和EDS可以實(shí)現(xiàn)原子級元素的分析。HD-2700具有多種成像模式，可以滿足大部分樣品的觀察需求，其中日立*的SE成像模式可以獲得透射電鏡無法獲得的樣品表面的信息，同時(shí)又比普通掃描電鏡具有更高的分辨率，可以實(shí)現(xiàn)對樣品表面的高分辨觀察。
應(yīng)用文章：
[1] Ciston1, J., Brown2, H. G., D`Alfonso2, A. J., Koirala3, P., Ophus1, C., Lin3, Y., Suzuki4, Y., Inada5, H., Zhu6, Y. & Marks3, L. D. Surface determination through atomically resolved secondary electron imaging.Nature Communications,2005,6, 7358-7365.
[2] Zhu1*, Y., Inada2, H., Nakamura2, K. & Wall1, J. Imaging single atoms using secondary electrons with an aberration-corrected electron microscope.Nature Materials,2009,8, 808-812.
