追求的TEM樣品制備工具 在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域，F(xiàn)IB-SEM已成為的工具。近來，目標觀察物更趨微細化；更薄，更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。日立高新公司，整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù)，再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam＊1（選配）技術(shù)，推出了新一代產(chǎn)品NX2000
追求的TEM樣品制備工具
在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域，F(xiàn)IB-SEM已成為的工具。
近來，目標觀察物更趨微細化；更薄，更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。
日立高新公司，整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù)，再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®＊1（選配）技術(shù)，推出了新一代產(chǎn)品NX2000
FIB加工時的實時SEM觀察＊2例
樣品：NAND閃存
加速電壓：1 kV
FOV：0.6 µm
加工方向控制
常規(guī)加工時
EB：Electron Beam（電子束）
FIB：Focused Ion Beam（聚焦離子束）
Ar：Ar ion beam（Ar離子束）
| 項目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| FIB鏡筒 | |
| 分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速電壓 | 0.5～30 kV |
| 束流 | 0.05 pA ～ 100 nA |
| FE-SEM鏡筒 | |
| 分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
| 加速電壓 | 0.5～30 kV |
| 電子槍 | 冷場場發(fā)射型 |
| 探測器 | |
| 標準検出器 | In-lens 二次電子探測器/樣品室二次電子探測器/背散射電子探測器 |
| 樣品臺 | X：0 ～ 205 mm Y：0 ～ 205 mm Z：0 ～ 10 mm R：0 ～ 360°連續(xù) T：-5 ～ 60° |
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