| 參考價 | 面議 |
產(chǎn)品簡介：VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀配備有一個靶槍，可選擇強磁靶或弱磁靶，弱磁靶用于非導電材料的濺射鍍膜，強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，且可使用的材料范圍廣，是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設備。
| 產(chǎn)品型號 | VTC-600-1HD單靶磁控濺射儀 | ||
| 產(chǎn)品型號 | VTC-600-1HD | ||
| 安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶Ø6mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、工作臺：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風裝置：需要 | ||
| 主要特點 | 1、可選一個靶槍，配套射頻電源用于非導電靶材的濺射鍍膜或配套直流電源用于導電性材料的濺射鍍膜。 2、可制備多種薄膜，應用廣泛。 3、體積小，操作簡便。 | ||
| 技術參數(shù) | 1、電源電壓：220V 50Hz 2、功率：<1KW（不含真空泵） 3、極限真空度：9.0×10-4Pa 4、樣品臺加熱溫度：RT-500℃，精度±1℃（可根據(jù)實際需要提升溫度） 5、靶槍數(shù)量：1個（可選配其他數(shù)量） 6、靶槍冷卻方式：水冷 7、靶材尺寸：Ø2″，厚度0.1-5mm（因靶材材質不同厚度有所不同） 8、直流濺射功率：500W；射頻濺射功率：300W。（靶電源種類可選，可選擇直流或射頻電源） 9、載樣臺：Ø140mm，可根據(jù)客戶需求選配加裝偏壓功能，以實現(xiàn)更高質量的鍍膜。 10、載樣臺轉速：1rpm-20rpm內(nèi)可調(diào) 11、工作氣體：Ar等惰性氣體 12、進氣氣路：質量流量計控制2路進氣，一路為100SCCM，另一路為200SCCM。 | ||
| 產(chǎn)品規(guī)格 | 1、主機尺寸：500mm×560mm×660mm 2、整機尺寸：1300mm×660mm×1200mm 3、重量：160kg 4、真空室規(guī)格：φ300×300mm | ||
| 標準配件 | 1 | 直流電源控制系統(tǒng) | 1套（可選） |
| 2 | 射頻電源控制系統(tǒng) | 1套（可選） | |
| 3 | 膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng) | 1套 | |
| 4 | 分子泵（德國進口） | 1臺 | |
| 5 | 冷水機 | 1臺 | |
| 6 | 冷卻水管（Ø6mm） | 4根 | |
| 可選配件 | 金、銦、銀、白金等各種靶材 | ||
直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射
濺射條件：工作氣壓10pa左右，濺射電壓3000V，靶電流密度0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于0.1mm/min。
工作原理：先讓惰性氣體（通常為Ar氣）產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子；帶電離子緊電場加速撞擊靶材表面，使靶材原子被轟擊而飛出來，同時產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子；靶材原子攜帶著足夠的動能到達被鍍物（襯底）的表面進行沉積。隨著氣壓的變化，濺射法薄膜沉積速率將出現(xiàn)一個極大值，但氣壓很低的條件下，電子的自由程較長，電子在陰極上消失的幾率較大，通過碰撞過程引起氣體分子電離的幾率較低，離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相對較小，這些均導致低氣壓條件下濺射的速率很低。在壓力1Pa時甚至不易維持自持放電！隨著氣壓的升高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺射電流增加，濺射速率增加。
適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如Au,Ag,Pt等
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。
工作條件：射頻濺射可以在1Pa左右的低壓下進行，濺射電壓1000V，靶電流密度1.0 mA/cm2，薄膜沉積速率0.5mm/min。
工作原理：人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負性發(fā)生周期交替，當濺射靶處于正半周時，電子流向靶面，中和其表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負偏壓，導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材，從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面的點位上升緩慢，由于在靶上會形成負偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導體靶。在射頻濺射裝置中，等離子體中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
優(yōu)點：1、可在低氣壓下進行，濺射速率高。
2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導體，半導體，絕緣體中的任意材料薄膜化。
3、必須十分注意接地問題。
適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣層的靶材.如Al,Ti,Mg等金屬以及TiQ2,ZnO等氧化物靶材.
*您想獲取產(chǎn)品的資料：
個人信息：
