KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出ZUI大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):
陽極 | 電感耦合等離子體
1kW & 1.8 MHz
射頻自動匹配 |
zui大陽極功率 | 1kW |
zui大離子束流 | > 500mA |
電壓范圍 | 100-1200V |
離子束動能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-40sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學(xué), 自對準(zhǔn) | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 14cm Φ |
柵極材質(zhì) | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 25.1 cm |
直徑 | 24.6 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 12”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
