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上海伯東 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380

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射頻離子源 RFICP 380

大口徑射頻離子源 RFICP 380
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KRi 射頻離子源 RFICP 380 特性
1. 放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長. 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計
3. 離子光學(xué), 自對準(zhǔn)技術(shù), 準(zhǔn)直光束設(shè)計, 自動調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運行
4. 全自動控制器
5. 離子束動能 100-1200eV
6. 柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用
射頻離子源 RFICP 380

射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)規(guī)格:

陽極

電感耦合等離子體
2kW & 1.8 MHz
射頻自動匹配

zui大陽極功率

>1kW

zui大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1500V

離子束動能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2,其他

流量

5-50sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學(xué), 自對準(zhǔn)

OptiBeamTM

離子束柵極

38cm Φ

柵極材質(zhì)

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000

高度

38.1 cm

直徑

58.2 cm

鎖緊安裝法蘭

12”CF


射頻離子源 RFICP 380 基本尺寸:
射頻離子源 RFICP 380

上海伯東美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產(chǎn)型金屬刻蝕機中, 實現(xiàn) 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領(lǐng)域.

作為蝕刻機的核心部件, KRI  射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!
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