芯片測(cè)試高低溫沖擊箱是給工業(yè)產(chǎn)品、電子產(chǎn)品做高低溫溫度沖擊實(shí)驗(yàn)用的所以還可以叫溫度沖擊實(shí)驗(yàn)箱或者高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)箱。溫度沖擊箱工作原理是由測(cè)試室、高溫室和低溫室組成。試品放置于測(cè)試室，高溫室和低溫室內(nèi)不可放置試品只是儲(chǔ)存不同的溫度用來(lái)做產(chǎn)品沖擊時(shí)用。高溫室內(nèi)的空氣預(yù)熱到一定的高溫溫度；低溫室內(nèi)的空氣預(yù)冷到一定的低溫溫度。當(dāng)進(jìn)行低溫的沖擊試驗(yàn)時(shí)，低溫室將預(yù)冷的溫度通過(guò)空氣吹入測(cè)試室；當(dāng)進(jìn)行高溫的沖擊試驗(yàn)時(shí)，高溫室將預(yù)熱的溫度通過(guò)空氣吹入測(cè)試室；這樣則能達(dá)到不同的溫度沖擊試驗(yàn)的效果。
芯片測(cè)試高低溫沖擊箱的主要技術(shù)參數(shù)：
1．內(nèi)箱尺寸： 600*500*500MM(W*H*D)（更大的尺寸或者更小的尺寸都可以致電柳沁定制）。
2. 外部尺寸： 1830*1950*1550 MM(W*H*D)（一般外尺寸會(huì)有一點(diǎn)點(diǎn)偏差屬于正常現(xiàn)象）。
3．試驗(yàn)箱溫度設(shè)定范圍：－65℃～+150℃。
4．高溫箱溫度設(shè)定范圍: +65℃～200℃。
5. 低溫箱溫度設(shè)定范圍:-10℃～-75℃。
6．降溫時(shí)間： +20℃～-75℃≤60min。
（注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能并非沖擊時(shí)間）
試驗(yàn)方式：試驗(yàn)時(shí)待測(cè)物試驗(yàn)箱里靜靜的擺放著，溫度在高溫箱及低溫箱內(nèi)受試驗(yàn)條件及控制器指標(biāo)根據(jù)冷熱沖擊要求通過(guò)氣體分別把冷熱溫度帶動(dòng)過(guò)來(lái)完成交替沖擊的試驗(yàn)條件。
溫度波動(dòng)度： ±0.5℃。
9．溫度均勻度: ±2.0℃。
(依量測(cè)規(guī)范:量測(cè)SENSOR置放點(diǎn),離內(nèi)箱壁內(nèi)尺寸1/10處)。
10．沖擊復(fù)歸時(shí)間：-55℃～150℃約需3~5分鐘。
11.試驗(yàn)箱冷熱溫度轉(zhuǎn)換移動(dòng)時(shí)間:≦10秒。
12.高低溫沖擊恒溫時(shí)間各為30分鐘。
13．深圳冷熱沖擊試驗(yàn)箱試樣限制：本實(shí)驗(yàn)設(shè)備禁止易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存；強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存。
