MDPpicts溫度依賴的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測MicrowaveDetectedPhotoInducedCurrentTransientSpectroscopy微波探測的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征

MDPpicts 溫度依賴的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測

Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy

      微波探測的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。

靈敏度：對電子缺陷表征的 靈敏度

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

溫度范圍：液氮(77k)至500k?？蛇x:液氦(4k)或更高溫度
衰變常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
污染測定：測量基礎(chǔ)的陷阱能級：陷阱的活化能和俘獲截面，基于溫度和注入的壽命測定
重復(fù)性：> 99.5%，測量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
彈性：可從不同波長(從365nm到1480nm)選擇不同種類的材料
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持



從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。

利用這種新型的商用MDPpicts設(shè)備，可以在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的光電導(dǎo)瞬態(tài)。在過去，Si, GaAs, InP, SiC和更多的半導(dǎo)體已經(jīng)成功采用了這種方法進(jìn)行研究。                                

圖2. 不同ID的評價(jià)

圖3.Arrhenius曲線圖

圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜