Mono-andMulti-crystallinewaferlifetimemeasurementdevice應(yīng)用范圍：用于精密材料研發(fā)的單晶和多晶片的壽命測量特性靈敏度：外延片不可見的缺陷和檢測的靈敏度的可視化測量速度：6英寸硅晶圓片

Mono- and Multi-crystalline wafer lifetime measurement device

應(yīng)用范圍：用于精密材料研發(fā)的單晶和多晶片的壽命測量

特性

1. 靈敏度：外延片不可見的缺陷和檢測的 靈敏度的可視化
2. 測量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
3. 使用壽命: 20納秒到幾毫秒
4. 污染測定：源自爐和設(shè)備的金屬(Fe)污染
5. 測量能力：從初始切割的晶圓片到*加工的樣品
6. 靈活性：固定測量頭允許外部激光與觸發(fā)器耦合
7. 可靠性： 模塊化和緊湊的臺式儀器，更高的可靠性和正常運行時間> 99%
8. 重現(xiàn)性： > 99.5%
9. 電阻率：不需要頻繁校準

用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活檢測工具

1. MDPmap是一個緊湊的臺式無觸點電子特性的離線生產(chǎn)控制或研發(fā)的工具?？蓽y量參數(shù)如載流子壽命、光電導性、電阻率、缺陷信息在穩(wěn)態(tài)或注入范圍寬短脈沖勵磁(μ-PCD)。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置可以方便地適應(yīng)各種不同的樣品，包括在不同的制備階段，從生長的晶圓片到高達95%的金屬化晶圓片的外延片和晶圓片。
2. MDPmap的主要優(yōu)點是其高度的靈活性，它允許集成最多4個激光器，用于從超低注入到高注入的依賴于注入水平的壽命測量，或者使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項。可以使用不同的圖進行客戶定義的計算，也可以導出原始數(shù)據(jù)進行進一步的評估。對于標準計量任務(wù)，可用一個預定義的標準，使常規(guī)測量只需按一個按鈕。