原子層沉積 (ALD) 是一種真正的納米技術, 可以準確可靠地沉積僅幾個納米厚的超薄薄膜。等離子體可以實現(xiàn)出色的表面預處理, 控制薄膜性質以及作為種類廣泛的沉積源。
牛津儀器 FlexAL原子層沉積(ALD)系統(tǒng)可提供遠程等離子體原子層沉積(ALD),這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。
牛津儀器 FlexAL原子層沉積(ALD)系統(tǒng)涵蓋的系列設備可以滿足學術界、企業(yè)研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)的多種需求。
牛津儀器 FlexAL原子層沉積(ALD)系統(tǒng)特點
牛津儀器有大量的工藝儲備,并且還在不斷開發(fā)新的工藝。我們?yōu)樗械腁LD設備提供的、延續(xù)不斷的工藝支持,我們還將為您提供關于開發(fā)新材料的建議,同時繼續(xù)與您共享包括新工藝配方在內(nèi)的新的ALD工藝進展。
氣體/液體源前驅體模式上 - 一體化手套箱 —— 實時轉換
一體化端口 - 允許添加實時橢偏儀測量工具
集群式配置 - 始終于真空下傳送襯底
盒式對盒式操作 - 可提高產(chǎn)能以適于量產(chǎn)
機器手臂與片盒式 - 可處理100mm,150mm或200mm晶圓(無需額外設備進行晶圓交換)
所有系統(tǒng)都可以放置于超凈間內(nèi)或嵌入墻體 - 易于放置
自動化的200mm晶圓真空傳送 - 工藝靈活性
牛津儀器 FlexAL原子層沉積(ALD)系統(tǒng)應用
- 納米電子
- 高K柵氧化物
- 存儲電容電介質
- 用于Cu互連的高深寬比擴散隔層
- 用于OLED和聚合物的無針孔鈍化層
- 用于晶體硅太陽能電池的鈍化
- 用于微流體和MEM的高保形涂層
- 納米多孔結構的涂層
- 生物MEMS
- 燃料電池
- 學習
- 原子尺度工藝