牛津儀器 Ionfab 300 IBE離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結(jié)果。

• 多模式功能

• 能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設(shè)備相集成

• 單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作

• 雙束流配置

• 更低的表面薄膜粗糙度

• 更佳的批次均勻性和工藝重復性

• 準確終點監(jiān)測 —— SIMS，發(fā)射光譜

牛津儀器 Ionfab 300 IBE離子束刻蝕特點

• 質(zhì)量薄膜高 ——超低污染
• 產(chǎn)量高，緊湊的系統(tǒng)體積設(shè)計­ ——運行成本低
• 已獲得的高速襯底架（高達1000RPM）設(shè)計，并配備了白光光學監(jiān)視器（WLOM）——更為準確的實時光學薄膜控制
• 配置靈活 ——適于先進的研究應(yīng)用
• 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機械手臂的盒對盒模式

牛津儀器 Ionfab 300 IBE離子束刻蝕應(yīng)用

• 磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）
• 介電薄膜
• III-V族光電子材料刻蝕
• 自旋電子學
• 金屬電極和軌道
• 超導體
• 激光端面鍍膜
• 高反射（HR）膜
• 防反射（AR）膜
• 環(huán)形激光陀螺反射鏡
• X射線光學系統(tǒng)
• 紅外（IR）傳感器
• II-VI族材料
• 通信濾波器