牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能工藝。

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特征

• 直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓

• 出色的刻蝕控制和速率測(cè)定

• 出色的晶圓溫度均勻性

• 晶圓可達(dá)200mm

• 購(gòu)置成本低

• 符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD應(yīng)用

• III-V族刻蝕工藝
• 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
• 類金剛石
• 類金剛石（DLC）沉積
• 二氧化硅和石英刻蝕
• 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓
• 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
• 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特點(diǎn)

• 小型系統(tǒng)——易于安置
• 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制
• 高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率
•  增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
•  近距離耦合渦輪泵——提供*的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度
•  關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
• X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息恢復(fù)功能， 同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
•  通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快
• 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)——在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
• 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)—— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)