牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris專(zhuān)為刻蝕堅(jiān)硬材料（如GaN，藍(lán)寶石和SiC）所需要使用的腐蝕性化學(xué)氣體而設(shè)計(jì)，可在直徑200mm的晶圓上實(shí)現(xiàn)快速均勻刻蝕。
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
主動(dòng)冷卻電極 - 在刻蝕過(guò)程中保持樣品溫度
高功率ICP源 - 產(chǎn)生高密度等離子體
可靠的硬件且易于維護(hù) - 可保持長(zhǎng)時(shí)間正常運(yùn)轉(zhuǎn)
磁場(chǎng)墊環(huán) - 增強(qiáng)離子的控制和均勻性
靜電壓盤(pán)技術(shù) - 適用于藍(lán)寶石，以及藍(lán)寶石和硅基的GaN
加熱的腔室內(nèi)襯 - 優(yōu)化以減少腔壁沉積
先進(jìn)的自動(dòng)匹配單元（AMU） - 提供快速，高效和準(zhǔn)確的匹配，確保工藝的高度精準(zhǔn)重復(fù)性
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris應(yīng)用
- RF器件SiC通孔刻蝕
- 功率半導(dǎo)體器件SiC形貌刻蝕
- HBLED GaN刻蝕
- RF device GaN etch
- Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
- SiO2 and quartz etch
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個(gè)射頻發(fā)生器獨(dú)立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點(diǎn)
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
- 精準(zhǔn)的襯底直流偏壓控制
- 精準(zhǔn)的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來(lái)實(shí)現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實(shí)現(xiàn)對(duì)選擇比和損傷的控制
- 獨(dú)立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制, 從而實(shí)現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時(shí)仍具有高離子密度，這樣可以改善對(duì)外形的控制
- 化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
- 也可以在RIE模式下運(yùn)行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導(dǎo)通的泵送端口可提供高氣體流量，以實(shí)現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對(duì)器件的電學(xué)損傷，以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
- 標(biāo)準(zhǔn)化的晶圓壓盤(pán)與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時(shí)可以選擇更寬的溫度范圍
