Cressington 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜技術。系統(tǒng)結構緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜處理。.組件設計方式可方便地對不同優(yōu)化條件下的各種應用進行切換。
主要特性
- 電壓控制的碳棒具有多次蒸發(fā)能力
- 反饋控制可以得到準確一致的鍍膜厚度
- 可選擇操作方法優(yōu)化鍍膜過程
- 繁忙條件下可進行自動蒸發(fā)控制
- 低成本高分辨膜厚監(jiān)測儀保證可重復的鍍膜效果
- 80L/s的分子渦輪泵可快速地使直徑150mm的樣品室達到鍍膜要求的真空
- 可配備無油渦旋式真空泵選件
- 可通過以下方式節(jié)約成本：無須水冷卻系統(tǒng)
- 無須加熱或冷卻
- 無須液氮
- 制樣周期短
- 節(jié)省空間
碳蒸發(fā)控制
- 208C對碳棒－Bradley型碳蒸發(fā)源使用*的*集成的反饋控制設計。
- 電流和電壓通過磁控頭的傳感線監(jiān)控，蒸發(fā)源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發(fā)裝置使常規(guī)的碳棒具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。功率消耗低，碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
- 蒸發(fā)源使用兩步超純碳棒。
- 蒸發(fā)源可以手動“脈沖”或“連續(xù)”的方式進行鍍膜?！懊}沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監(jiān)測儀一起使用，可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便，操作者只要設定電壓和時間，可以得到一致的鍍膜效果。
208C 樣品室
- 樣品室的組件設計方式可適應多種附件使用。
- 通過簡單調(diào)節(jié)工作距離，可方便地調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率。
- *的標準化高/低真空壓力調(diào)節(jié)通過精密針閥完成。
- 高真空用于質(zhì)量地鍍膜，如用于TEM制樣。
- 低真空用于TEM柵網(wǎng)的輝光放電清潔以及掃描電鏡觀察中形貌復雜樣品的鍍膜。
- 對于SEM、EDS/WDS 和探針分析，旋轉(zhuǎn)－行星轉(zhuǎn)動－傾斜樣品臺可對同時多個樣品進行一致的鍍膜處理。
- 旋轉(zhuǎn)－傾斜臺特別為TEM樣品處理設計，而且可以放置25 x 75mm的玻片。
| 技術參數(shù) |
| 樣品室大小 | 直徑150mm 、高度 165mm – 250mm可調(diào) |
| 蒸發(fā)源 | Bradley型 (6.15mm直徑 rods) ，高強度不銹鋼結構 |
| 蒸發(fā)控制 | 基于微處理器的反饋回路控制，能夠進行遠程電流/電壓感應，基于真空水平變量的安全互鎖功能，電流180A，提供過流保護 |
| 樣品臺 | 可安裝12個掃描電鏡樣品座 高度在60mm范圍內(nèi)可調(diào) 旋轉(zhuǎn)－行星轉(zhuǎn)動－傾斜樣品臺（選件） |
| 模擬計量 | 真空, 雙范圍 Atm － 0.001mb ；1 x 10-3mb－ 5 x 10-6 mb
電流, 0 – 200A |
| 控制方法 | 自動蒸發(fā)控制，使用程序設定的電壓和時間，自動放氣 以脈沖或連續(xù)方式進行*手動控制 數(shù)字定時器（0－30s） 數(shù)字電壓設置（0.1 to 5.5V） |
| 真空系統(tǒng) |
| 結構 | 分子渦輪泵/旋片泵組合，無油渦旋式真空泵（選件） |
| 抽真空速度 | 80 L/s. |
| 抽真空時間 | 1.5 min限真空 | 5 x 10-6mb |
| 桌上系統(tǒng) | 旋片泵可置于抗震臺上，全金屬真空耦合系統(tǒng) |
| 系統(tǒng)要求 |
| 電源 | 100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz |
| 功率 | 1200 VA max. |
