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電光THZ晶體

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電光THZ晶體


特點(diǎn):

- 高質(zhì)量晶體。

- 對不同應(yīng)用進(jìn)行切割和拋光。

- 大非線性光學(xué)極化率(d11>1000pm/V

- 大的光電系數(shù)(r11=92pm/V

應(yīng)用:

- 0.3-16THz的產(chǎn)生和檢測

- 快速電光調(diào)制

- 用于光參量產(chǎn)生

- 用于1.55um倍頻

物理屬性:

型號

DAST晶體

DSTMS晶體

熔點(diǎn)

2560C

2500C

折射率

n1(720nm)=2.519,n2(720nm)=1.720, n3(720nm)=1.635

n1(1550nm)=2.07,n2(1550nm)=1.64

非線性光學(xué)系數(shù)

d11 (1318 nm )= 1010 pm/V

d11(1542nm)=290pm/V, d26(1542nm ) = 39 pm/V

d111 = 214±20 pm/V@ 1900 nm

d122 = 31±4 pm/V@ 1900 nm

d212 = 35±4 pm/V@ 1900 nm

電光系數(shù)

r11 (720 nm ) = 92 pm/V

r11 (1313 nm ) = 53 pm/V

r11 (1535 nm ) = 47 pm/V

r111 = 37±3 pm/V @ 1900 nm

介電常數(shù)

ε1(3kHz) = 5.2, ε2(3kHz) = 4.1,ε3

(3kHz) = 3.0





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