特點(diǎn)

• 新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
  0.4 nm / 30 kV (SE)
  1.2 nm / 1 kV (SE)
  0.34 nm / 30 kV (STEM)
• 用改良的高真空性能和*的電子束穩(wěn)定性來實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
• 采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。